| 講演名 | 2002/11/6 高臨界電流密度をもつエピタキシャルNbN/AlN/NbNトンネル接合のマイクロ波特性 岡上 久美, 石田 弘樹, 川上 彰, 王 鎮, 濱崎 勝義, |
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| 抄録(和) | THz帯でのミクサ応用を目的として、高臨界電流をもつ超伝導体-絶縁体-超伝導体(SIS)接合の研究が精力的になされている。今回、エピタキシャルNbN/AlN/NbNトンネル接合ヘマイクロ波を照射した時、これまで報告されていない新しい電磁波誘起dV/dI構造を観測した。超伝導ギャップ電圧を基準にとった場合のdV/dIディップの電圧間隔は、低電圧側に行くに従って広くなった。この電磁波誘起dV/dI構造についてAndreev反射電流とマイクロ波電流の相互作用の観点から考察する。 |
| 抄録(英) | We investigated microwave properties of epitaxial NbN/AlN/NbN Josephson Junctions. We observed a new microwave-induced dV/dI dips only for high J_c junction. The voltage interval of the dip became wider as decreasing the bias voltage. From these results, we suggest that the origin of these dV/dI structures is the interaction of the Andreev reflection current with rf-current. |
| キーワード(和) | エピタキシャルNbN/AlN/NbNトンネル接合 / 電磁波誘起dV/dIピーク / Andreev反射現象 |
| キーワード(英) | epitaxial NbN/AlN/NbN Josephson Junction / microwave-induced dV/dI dips / Andreev reflection phenomena |
| 資料番号 | CPM2002-122 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2002/11/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高臨界電流密度をもつエピタキシャルNbN/AlN/NbNトンネル接合のマイクロ波特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Microwave Properties of epitaxial NbN/AlN/NbN Josephson tunnel junctions with high critical current densities |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | エピタキシャルNbN/AlN/NbNトンネル接合 / epitaxial NbN/AlN/NbN Josephson Junction |
| キーワード(2)（和/英） | 電磁波誘起dV/dIピーク / microwave-induced dV/dI dips |
| キーワード(3)（和/英） | Andreev反射現象 / Andreev reflection phenomena |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岡上 久美 / K. Okanoue |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 工学部 電気系 Department of Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石田 弘樹 / H. Ishida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 工学部 電気系 Department of Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 川上 彰 / A. Kawakami |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 独立法人 通信総合研究所 関西支所 超伝導研究室 KARC, Communications Research Laboratory |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 王 鎮 / Z. Wang |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 独立法人 通信総合研究所 関西支所 超伝導研究室 KARC, Communications Research Laboratory |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 濱崎 勝義 / K. Hamasaki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 工学部 電気系 Department of Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 発表年月日 | 2002/11/6 |
| 資料番号 | CPM2002-122 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 434 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |