| 講演名 | 2002/11/6 CS_2ガスを用いた反応性スパッタ法によるCuInS_2薄膜の組成制御 計良 忍, 小林 敏志, 坪井 望, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 薄膜太陽電池の光吸収材料として期待されるCuInS_2薄膜を、Cu/Inターゲット面積比とCS_2ガス分圧を変化させ、反応性スパッタ法により基板温度100℃で作製した。[Cu]/[In]組成比は、Cu/Inターゲット面積比に比例し、CS_2ガス分圧にあまり依存しなかった。[S]/([Cu]+[In])組成は、Cu/Inターゲット面積比の増加と共に減少する傾向があり、CS_2ガス分圧の増加に伴いやや増加した。CS_2ガス分圧が低い膜ではアモルファスであり、高い膜には、CuInS_2(112)面のX線回折強度が強いものがあった。組成の良好な膜でも、吸収端は810nmより波長側にあった。すべての薄膜はp形で、抵抗率はCu/Inターゲット面積比の増加に伴い低下した。 |
| 抄録(英) | CuInS_2 thin films were prepared by the reactive sputtering method using CS_2 gas under the various the target area ratio and CS_2 gas partial pressure were investigated. It was found that the [Cu]/[In] composition ratio proportionaly increased, and the [S]/([Cu]+[In]) composition ratio slightly decreased with increasing Cu/In target area ratio. The strong CuInS_2(112) X-ray intensity was found in films deposited under high CS_2 gas partial pressure of 0.20×10^-3Torr and 0.25×10^-3Torr. The transmission rised at shorter wavelength than the bulk absorption edge of 810nm. All films were p-type and their resistivity decresed with increasing Cu/In target area ratio. |
| キーワード(和) | 反応性スパッタ / CuInS_2 / 薄膜 |
| キーワード(英) | reactive sputtering / CuInS_2 / thin films |
| 資料番号 | CPM2002-113 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2002/11/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | CS_2ガスを用いた反応性スパッタ法によるCuInS_2薄膜の組成制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Composition Control of CuInS_2 Thin Films Prepared by the Reactive Sputtering Method Using CS_2 Gas |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 反応性スパッタ / reactive sputtering |
| キーワード(2)（和/英） | CuInS_2 / CuInS_2 |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜 / thin films |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 計良 忍 / Shinobu KERA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 新潟大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Science and Technology, Nigata University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小林 敏志 / Satoshi KOBAYASHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Nigata University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 坪井 望 / Nozomu TUBOI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Nigata University |
| 発表年月日 | 2002/11/6 |
| 資料番号 | CPM2002-113 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 434 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |