| 講演名 | 2002/11/6 MMSi,DMSiにより形成されるSi c(4×4)構造の評価 原島 正幸, 成田 克, 安井 寛治, 赤羽 正志, |
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| 抄録(和) | 有機ケイ素化合物の一種であるモノメチルシラン(MMSi)およびジメチルシラン(DMsi)を用いてSi(001)-2×1表面上に3C-SiC成長を行い、その成長初期過程を反射高速電子線回折(RHEED)を用いて"その場"観察を行ったところ、SiC核の発生に先んじてSi c(4×4)構造が形成されていることが分かった。Si c(4×4)構造とその後のSiC核が生成された表面についてXPS測定およびAFM観察を行った。その結果、Si c(4×4)構造が形成された表面層にはSi-C結合を含んだSi_1-xCxアロイ層が存在し、AR-XPS測定によりその層厚は0.3[nm]と見積もられた。また、AFM像からSiC核はSi c(4×4)構造の周期性を反映した<010>軸方向に配列して発生した。 |
| 抄録(英) | Growth of cubic-silicon carbide (3C-SiC) on Si(001)-2×1 surface was investigated using organosilicon compounds such as monomethylsilane (MMSi) and dimethylsilane (DMSi). From in-situ observation of the initial stage of SiC growth by reflection high-energy electron diffraction (RHEED), it was found that Si c(4×4) structure was formed before the nucleation of SiC islands. Using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and atomic force microscopy (AFM), Si c(4×4) structure surface and the surface after SiC nucleation were measured. Si c(4×4) structure was found to be formed by Si_1-xCx alloy layer, and the layer thickness was estimated to be 0.3 nm. SiC islands appeared along <010> direction of Si substrate reflecting the periodicity of Si c(4×4) structure. |
| キーワード(和) | 炭化ケイ素 / モノメチルシラン / ジメチルシラン / Si c(4×4)構造 / RHEED / XP / AFM |
| キーワード(英) | Silicon carbide / monomrthylsilan / dimethylsilane / Si c(4×4) structure / RHEED / XPS / AFM |
| 資料番号 | CPM2002-125 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2002/11/6(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MMSi,DMSiにより形成されるSi c(4×4)構造の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of Si c(4×4) structure formed using MMSi, DMSi |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 炭化ケイ素 / Silicon carbide |
| キーワード(2)（和/英） | モノメチルシラン / monomrthylsilan |
| キーワード(3)（和/英） | ジメチルシラン / dimethylsilane |
| キーワード(4)（和/英） | Si c(4×4)構造 / Si c(4×4) structure |
| キーワード(5)（和/英） | RHEED / RHEED |
| キーワード(6)（和/英） | XP / XPS |
| キーワード(7)（和/英） | AFM / AFM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 原島 正幸 / Masayuki HARASHIMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 成田 克 / Yuzuru NARITA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 安井 寛治 / Kanji YASUI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 赤羽 正志 / Tadashi AKAHANE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 発表年月日 | 2002/11/6 |
| 資料番号 | CPM2002-125 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 434 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |