| 講演名 | 2002/11/6 Cat-CVD法による薄膜トランジスタ製造技術の最近の進展 増田 淳, 松村 英樹, |
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| 抄録(和) | 触媒化学気相成長(Cat-CVD)法によるフラットパネルディスプレイ用薄膜トランジスタ(TFT)製造技術の最近の進展について紹介する。Cat-CVD法で作製した水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)膜を用いたTFTはストレス印加に対する安定性に優れる。また、Cat-CVD法で低温直接堆積した多結晶シリコン(poly-Si)膜を用いたTFTにおいても50cm^2/Vs程度の移動度が確認されている。さらに、Cat-CVD法で作製したa-Si:H膜は、エキシマレーザアニール(ELA)によるpoly-Si膜形成のプリカーサ膜としても有望である。Cat-CVD法は原料ガスの利用効率が高く高速堆積が可能であるなど生産性にも優れ、さらにメートルサイズの大面積均一堆積が可能なことも実証されている。Cat-CVD法はa-Si:H TFT、低温直接堆積によるpoly-Si TFT、ELAによるpoly-Si TFTのいずれの製造技術としても有望であり、装置開発も進展しており、実用化が目前に迫っているものと期待される。 |
| 抄録(英) | Recent development of fabrication techniques for thin-film transistors (TFTs) used in flat-panel displays by catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) is introduced. TFTs using amorphous Si films prepared by Cat-CVD show stable characteristics under bias stress. TFTs using polycrystalline Si films prepared directly by Cat-CVD at low temperatures show the mobility of approximately 50 cm^2/Vs. Amorphous Si films are also useful as precursor films for excimer-laser annealing. The Cat-CVD method appears feasible for mass-production because of high efficiency of gas use, high deposition rate and large-area deposition beyond 1-m size. Development of Cat-CVD apparatus for mass-production is also in progress. It is expected that the Cat-CVD method will be employed in the mass production of amorphous Si TFTs, directly deposited polycrystalline Si TFTs and polycrystalline Si TFTs fabricated by excimer-laser annealing. |
| キーワード(和) | Cat-CVD / アモルファスシリコン薄膜トランジスタ / 多結晶シリコン薄膜トランジスタ / 大面積堆積 |
| キーワード(英) | Catalytic Chemical Vapor Deposition / Amorphous Silicon Thin-Film Transistors / Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors / Large-Area Deposition |
| 資料番号 | CPM2002-124 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2002/11/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Cat-CVD法による薄膜トランジスタ製造技術の最近の進展 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Recent Development of Fabrication Techniques for Thin-Film Transistors by Catalytic Chemical Vapor Deposition |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cat-CVD / Catalytic Chemical Vapor Deposition |
| キーワード(2)（和/英） | アモルファスシリコン薄膜トランジスタ / Amorphous Silicon Thin-Film Transistors |
| キーワード(3)（和/英） | 多結晶シリコン薄膜トランジスタ / Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors |
| キーワード(4)（和/英） | 大面積堆積 / Large-Area Deposition |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 増田 淳 / Atsushi MASUDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科 School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松村 英樹 / Hideki MATSUMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学・材料科学研究科 School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2002/11/6 |
| 資料番号 | CPM2002-124 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 434 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |