| 講演名 | 2002/11/6 (Si_14/Ge_1)_20及び(Si_28/Ge_2)_10短周期超格子バッファー層を用いたSi_0.75Ge_0.25合金層のMBE成長 M.M. ラーマン, 車谷 健太郎, 丹保 豊和, 龍山 智栄, |
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| 抄録(和) | 固体ソース分子線エピタキシー(MBE)により、Si(001)基板上にバッファー層として(Si_14/Ge_1)_20及び(Si_28/Ge_2)_10超格子を用いて、厚さ2000AのSi_0.75Ge_0.25合金層を成長させた。合金層は500℃で、バッファー層は300-450℃の異なる温度で成長させ、合金層に対するバッファー層の成長温度の効果を観察した。バッファー層中のGeの平均成分は1及び2原子層モードに対して、いずれも0.06である。300℃で成長させたGeが1原子層モードのバッファー層の場合、合金層の表面は平坦で、残留歪は-0.08%であった。2つの型のバッファー層を持つ試料の表面形態、残留歪、転位パターンを比較した。 |
| 抄録(英) | By solid source molecularÅ beam epitaxy (MBE) process 2000Å-thick-Si_0.75Ge_0.25 alloy layers were grown on Si(001) using short-period (Si_14/Ge_1)_20 and (Si_28/Ge_2)_10 superlattices (SSL) as buffer layers. Alloy layers were grown at 500℃ and buffer layers were grown at different temperatures from 300-450℃. Effect of the growth temperature of the buffer layers on the top alloy layers has been observed. Average germanium compositions in both the buffers were same (0.06) but deposited as 1 and 2 monolayer mode respectively. Ge-1-molayer mode buffer grown at 300℃ reveals a smooth top surface with residual strain -0.08%. Surface morphology, residual strain and dislocations patterns of all the samples with two types of buffers have been compared. |
| キーワード(和) | Molecular beam epitaxy(MBE) / 短周期超格子 / Si_0.75Ge_0.25合金 / 原子間力顕微鏡 / 残留歪 |
| キーワード(英) | Molecular beam epitaxy (MBE) / Short-period superlattices / Si_0.75Ge_0.25 alloy / Atomic force microscopy / Residual strain |
| 資料番号 | CPM2002-123 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2002/11/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | (Si_14/Ge_1)_20及び(Si_28/Ge_2)_10短周期超格子バッファー層を用いたSi_0.75Ge_0.25合金層のMBE成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MBE growth of Si_0.75Ge_0.25 Alloy Layers Using (Si_14/Ge_1)_20 and (Si_28/Ge_2)_10 Short-period Superlattices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Molecular beam epitaxy(MBE) / Molecular beam epitaxy (MBE) |
| キーワード(2)（和/英） | 短周期超格子 / Short-period superlattices |
| キーワード(3)（和/英） | Si_0.75Ge_0.25合金 / Si_0.75Ge_0.25 alloy |
| キーワード(4)（和/英） | 原子間力顕微鏡 / Atomic force microscopy |
| キーワード(5)（和/英） | 残留歪 / Residual strain |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | M.M. ラーマン / Rahman M. MIZANUR |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富山大学工学部 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Toyama University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 車谷 健太郎 / Kentaro KURUMATANI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富山大学工学部 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Toyama University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 丹保 豊和 / Toyokazo TAMBO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富山大学工学部 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Toyama University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 龍山 智栄 / Chiei TATSUYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富山大学工学部 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Toyama University |
| 発表年月日 | 2002/11/6 |
| 資料番号 | CPM2002-123 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 434 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |