講演名 2002/11/6
ATR法を用いた金属スパッタ薄膜の特性評価
佐藤 豪男, 渡辺 隼人, 小熊 康平, 清水 英彦, 丸山 武男, 金子 双男, 川上 貴浩, 岩野 春男,
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抄録(和) 本研究では,マグネトロンスパッタ装置を用いて膜厚及びバイアス電圧を変化させてAg及びCu薄膜を作製し,ATR(全反射減衰)法を用いて作製後からの時間経過に伴う変化の評価を行った。その結果,Ag.薄膜は,バイアス電圧-50Vで作製すると,最も連続性の高い膜を作製することができるが,作製後からの時間経過に伴い,膜中の空孔の割合が多くなる傾向は抑制できないこと,Cu薄膜の作製後からの時間経過に伴って酸化していく傾向と,時間経過に伴う誘電率実数部の変化傾向がほぼ一致すること及びATR法が,Ag薄膜におけるAg粒子が作製後からの時間経過に伴い,凝集するように変化していく過程及びCu薄膜の表面酸化を知るための有効な方法であることが明らかとなった。
抄録(英) To obtain a thin film with desired properties (the size and the orientation of crystallites in film) in sputter deposition, one must control the effects of sputter-deposition parameters (sputtering gas pressure, substrate temperature, and high-energy particle bombardment of the film surface). In this study, we observed Ag and Cu thin films deposited by the sputtering method using an Attenuated Total Reflection (ATR) method. As a result, fabrication of continuous Ag film was very difficult since Ag atom in thin film can move easily like liquid even at room temperature and the morphology of the thin film changes as time passes. The real part of the dielectric constant of Cu film changes as time passes. This change was in agreement with the rate of oxidization of Cu film surface. The results showed clearly the situation and changes in the morphology of film could be evaluated by the ATR method.
キーワード(和) Ag薄膜 / Cu薄膜 / スパッタ法 / ATR(全反射減衰)法 / 表面形態 / 酸化
キーワード(英) Ag thin films / Cu thin films / sputtering method / Attenuated Total Reflection (ATR) method / surface morphology / oxidation
資料番号 CPM2002-119
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2002/11/6(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) ATR法を用いた金属スパッタ薄膜の特性評価
サブタイトル(和)
タイトル(英) Evaluation of metal sputtering thin films using ATR method
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) Ag薄膜 / Ag thin films
キーワード(2)(和/英) Cu薄膜 / Cu thin films
キーワード(3)(和/英) スパッタ法 / sputtering method
キーワード(4)(和/英) ATR(全反射減衰)法 / Attenuated Total Reflection (ATR) method
キーワード(5)(和/英) 表面形態 / surface morphology
キーワード(6)(和/英) 酸化 / oxidation
第 1 著者 氏名(和/英) 佐藤 豪男 / T. Sato
第 1 著者 所属(和/英) 新潟大学大学院自然科学研究科
Graduate school of science and technology,Niigata University
第 2 著者 氏名(和/英) 渡辺 隼人 / H. Watanabe
第 2 著者 所属(和/英) 新潟大学工学部
Faculty of Engineering,Niigata University
第 3 著者 氏名(和/英) 小熊 康平 / K. Oguma
第 3 著者 所属(和/英) 新潟大学工学部
Faculty of Engineering,Niigata University
第 4 著者 氏名(和/英) 清水 英彦 / H. Shimizu
第 4 著者 所属(和/英) 新潟大学工学部
Faculty of Engineering,Niigata University
第 5 著者 氏名(和/英) 丸山 武男 / T. Maruyama
第 5 著者 所属(和/英) 新潟大学工学部
Faculty of Engineering,Niigata University
第 6 著者 氏名(和/英) 金子 双男 / F. Kaneko
第 6 著者 所属(和/英) 新潟大学工学部
Faculty of Engineering,Niigata University
第 7 著者 氏名(和/英) 川上 貴浩 / T. Kawakami
第 7 著者 所属(和/英) 新潟大学工学部
Faculty of Engineering,Niigata University
第 8 著者 氏名(和/英) 岩野 春男 / H. Iwano
第 8 著者 所属(和/英) 新潟大学工学部
Faculty of Engineering,Niigata University
発表年月日 2002/11/6
資料番号 CPM2002-119
巻番号(vol) vol.102
号番号(no) 434
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日