| 講演名 | 2002/11/6 スパッタ堆積後熱処理によるSrAl_2O_4薄膜の特性制御 石井 岳志, 池田 倫秋, 清水 英彦, 丸山 武男, 岩野 春男, 加藤 景三, 太田 雅壽, |
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| 抄録(和) | 本研究では、スパッタ堆積時の酸素分圧を変えて作製した膜を空気中で熱処理を行う方法により、SrAl_2O_4蛍光体薄膜の結晶性及び配向性の制御を試みた。その結果、(1)スパッタ膜堆積時の酸素分圧を0.1[Pa]とし、空気中1000℃で熱処理を行うことにより、膜の剥離を抑制することが可能であること、(2)剥離が抑制される条件で作製した膜は、結晶性及び配向性も良好であり、(010)配向膜が得られること、(3)酸素分圧を0,1[Pa]で作製した膜では、中心部において2価のEuに起因した緑色の発光が、端部では3価のEuに起因した赤色の発光が確認されたこと、(4)酸素分圧が0.1[Pa]以外の膜では、3価のEuに起因した赤色の発光のみが確認されることが明らかとなった。 |
| 抄録(英) | SrAl_2O_4 : Eu, Dy phosphors exhibit highly bright and long-lasting phosphorescence without radioactive materials. It is necessary to control the orientation of crystallites and microstructure in the films in order to use them as many applications. In this study, control of crystallinity and crystal orientation of SrAl_2O_4 thin films were attempted by post-annealing in air of the films deposited with reactive sputtering method. The film annealed at about 1000℃ after depositing with oxygen partial pressure of 0.1 Pa had smooth surface, excellent (010) orientation, and good crystallinity. In the central part of the film deposited with oxygen partial pressure of 0.1 Pa, a green luminescence which has a cause in Eu^2+ was observed. On the other hands, a red luminescence which has a cause in Eu^3+ was observed in the edge portion of the film. |
| キーワード(和) | SrAl_2O_4薄膜 / 長残光性蛍光体 / 反応性スパッタ / 熱処理 |
| キーワード(英) | SrAl_2O_4 thin film / long-lasting phosphorescence / reactive sputter / annealing |
| 資料番号 | CPM2002-114 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2002/11/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | スパッタ堆積後熱処理によるSrAl_2O_4薄膜の特性制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Controlling properties of SrAl_2O_4 thin films by post-annealing of the film deposited by sputtering method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SrAl_2O_4薄膜 / SrAl_2O_4 thin film |
| キーワード(2)（和/英） | 長残光性蛍光体 / long-lasting phosphorescence |
| キーワード(3)（和/英） | 反応性スパッタ / reactive sputter |
| キーワード(4)（和/英） | 熱処理 / annealing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石井 岳志 / T. Ishii |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 新潟大学大学院自然科学研究科 Graduate school of science and technology Niigata University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 池田 倫秋 / N. Ikeda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 新潟大学大学院自然科学研究科 Graduate school of science and technology Niigata University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 清水 英彦 / H. Shimizu |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 丸山 武男 / T. Maruyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岩野 春男 / H. Iwano |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 加藤 景三 / K. Kato |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 太田 雅壽 / M. Ohta |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 新潟大学工学部 Faculty of Engineering, Niigata University |
| 発表年月日 | 2002/11/6 |
| 資料番号 | CPM2002-114 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 434 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |