| 講演名 | 2002/11/6 スパッタによる伝導性Re酸化物薄膜の作製 大久保 学, 深井 久美子, 岩田 展幸, 山本 寛, |
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| 抄録(和) | 我々は新規高温超伝導体を作製するために、キャリア供給層を備えた積層膜を提案した。キャリア供給層としてReイオンの多原子価性に着目しRe酸化物薄膜を選んだ。Re酸化物薄膜はRFスパッタリングによって作製された。ReO_3薄膜の電気抵抗率はアニール温度200℃で作製したとき最小の値を示し、室温において10^-4ΩcmでありReO_3単結晶の10倍の値となった。電気抵抗率の温度依存性から、ReO_3薄膜は金属的であることが示された。しかしながら、NdBa_2Cu_3O_6/ReO_3積層膜上で超伝導は観察されなかった。また、120K付近において近藤効果によると思われる抵抗極小が現れた。 |
| 抄録(英) | We proposed the multilayered films with CRB in order to develop new high - Tc superconductors. As a material of the CRB, we chose Re oxides, where multi-valences, +2～+7, of Re ion are noticeable. The Re oxide films were deposited by RF sputtering. The lowest resistivity was observed in the film annealed at 200℃ and showed the order of 10^-4Ω cm of which the value was still about 10 times as large as that of a single crystal ReO_3. The temperature dependence of the resistivity revealed a metallic behavior. Superconductivity was not, however, observed in the bilayered film of NdBa_2Cu_3O_6/ReO_3. The resistivity minimum by the Kondo effect appeared at the 120K neighborhood. |
| キーワード(和) | Re酸化物 / スパッタリング / 電気抵抗率 / 近藤効果 |
| キーワード(英) | Re Oxide / sputtering / resistivity / Kondo effect |
| 資料番号 | CPM2002-116 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2002/11/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | スパッタによる伝導性Re酸化物薄膜の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation of Conductive Re Oxide thin films by sputtering |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Re酸化物 / Re Oxide |
| キーワード(2)（和/英） | スパッタリング / sputtering |
| キーワード(3)（和/英） | 電気抵抗率 / resistivity |
| キーワード(4)（和/英） | 近藤効果 / Kondo effect |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大久保 学 / Manabu OHKUBO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science and Technology, Nihon University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 深井 久美子 / Kumiko FUKAI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science and Technology, Nihon University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岩田 展幸 / Nobuyuki IWATA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science and Technology, Nihon University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山本 寛 / Hiroshi YAMAMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science and Technology, Nihon University |
| 発表年月日 | 2002/11/6 |
| 資料番号 | CPM2002-116 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 434 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |