| 講演名 | 2002/11/6 蒸着・硫化法によるCu_2ZnSnS_4系薄膜太陽電池の作製 森谷 克彦, 土田 宗和, 片桐 裕則, |
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| 抄録(和) | 省資源・無毒性薄膜太陽電池の作製を目指し、Cu_2ZnSnS_4(CZTS)系薄膜太陽電池を作製した。光吸収層CZTS薄膜の作製には、気相硫化法を用いた。溶液成長法による界面層CdS作製では、Cd源に従来のCdSO_4、の替わりにCdl_2,を採用した。この結果、太陽電池出力特性のFFが従来の0.4台から0.6台へと大きく改善され、変換効率も4.25%まで上昇した。さらに、ナトリウム添加による効果を検証するため、Na_2S/Mo/SiO_2,/SLG基板上でCZTS系薄膜太陽電池を作製した。その結果、FF:0.60,変換効率 : 5.45%の値を得た。これらの値は、本材料系太陽電池におけるトップデータである。 |
| 抄録(英) | In order to develope a new environmentally friendly solar cell, we fabricate a thin film solar cell based on Cu_2ZnSnS_4(CZTS). CZTS thin films were successfully formed by vapor phase sulfurization of precursors prepared by vacuum evaporation. At the stage of preparing a CdS buffer layer with chemical bath deposition technique, we used CdI_2 instead of CdSO_4 as Cd source. By using this buffer layer, both the value of FF and the conversion efficiency were improved from 0.4 to 0.6 and from 2.62% to 4.25%, respectively. In order to examine the effect of addition of Na, we made a CZTS solar cell with Na_2S/Mo/SiO_2/SLG substrate. The best conversion efficiency achieved in our study was 5.45% and the value of FF was 0.6. These device results are the best reported so far for CZTS. |
| キーワード(和) | CZTS薄膜 / 太陽電池 / 気相硫化 |
| キーワード(英) | CZTS thin film / solar cell device / vapor phase sulfurization |
| 資料番号 | CPM2002-121 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2002/11/6(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 蒸着・硫化法によるCu_2ZnSnS_4系薄膜太陽電池の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of thin film solar cell based on Cu_2ZnSnS_4 thin film prepared by sulfurization of evaporated precursors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CZTS薄膜 / CZTS thin film |
| キーワード(2)（和/英） | 太陽電池 / solar cell device |
| キーワード(3)（和/英） | 気相硫化 / vapor phase sulfurization |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 森谷 克彦 / Katsuhiko MORIYA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 長岡工業高等専門学校 専攻科 Advanced Engineering Course, Nagaoka National College of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 土田 宗和 / Kazuyuki TSUCHIDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 長岡工業高等専門学校 専攻科 Advanced Engineering Course, Nagaoka National College of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 片桐 裕則 / Hironori KATAGIRI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 長岡工業高等専門学校 専攻科 Advanced Engineering Course, Nagaoka National College of Technology |
| 発表年月日 | 2002/11/6 |
| 資料番号 | CPM2002-121 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 434 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |