| 講演名 | 2002/11/6 ITO透明導電膜の低温成膜における水蒸気の効果 加藤 博臣, 星 陽一, |
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| 抄録(和) | 我々は、運動エネルギー制御堆積法を用いたITO透明導電膜の低温作製を提案し、この方法を用いることで、50℃以下の低温基板上でも、3.5×10^-4Ωcmの低抵抗で表面平滑性に優れたITO膜が作製できることを報告した。しかしこの方法では(1)堆積速度が遅い、(2)成膜中の基板温度が通常のスパッタ法に比べて低いために、残留水蒸気の影響の有無を明らかにすることが求められていた。本研究では、上記堆積法を用いた基板温度50℃以下の低温成膜における水蒸気の導入効果を詳細に検討した。その結果、成膜時にスパッタ槽内への水蒸気の導入は、キャリア密度を増加させる効果は認められないこと、得られる膜のキャリア移動度は、導入無しの膜と比較して増加すること、これらの結果として膜の電気的特性は劣化することが分かった。これは水蒸気の導入によって、膜中にOの代わりにOHが取り込まれ、より移動度を減少させてしまうものと考えられた。 |
| 抄録(英) | We reported that kinetic energy controlled sputter-deposition (KECD) method is a useful deposition technique to obtain an ITO thin films with a resisitivity as low as 3.5×10^-4Ωcm and excellent surface smoothness at a temperature below 50 ℃. Residual water vapor in the sputter chamber might have influences on the structure and properties of the films, since the deposition rate in the KECD was low and substrate temperature was kept at a lower value compared with the deposition by conventional sputtering. In this study, the effect of water vapor on the structure and electrical properties of the ITO films deposited by the KECD was investigated in detail. As a result, it became clear that the resistivity of the film took a minimum value at a proper water vapor pressure, although it took a higher value compared with the film deposited without water vapor. This was mainly caused by a decrease in the carrier mobility of the film, which may be due to the incorporation of OH ions in the film. |
| キーワード(和) | 運動エネルギー制御堆積法 / ITO / 透明導電膜 / 低温成膜 / 水蒸気 |
| キーワード(英) | kinetic energy controlled sputter deposition / ITO / transparent conductive thin film / low temperature deposition / water vapor |
| 資料番号 | CPM2002-117 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2002/11/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ITO透明導電膜の低温成膜における水蒸気の効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of Water Vapor in the Sputter-deposition of ITO Thin Film at Low Temperature |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 運動エネルギー制御堆積法 / kinetic energy controlled sputter deposition |
| キーワード(2)（和/英） | ITO / ITO |
| キーワード(3)（和/英） | 透明導電膜 / transparent conductive thin film |
| キーワード(4)（和/英） | 低温成膜 / low temperature deposition |
| キーワード(5)（和/英） | 水蒸気 / water vapor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 加藤 博臣 / Hiro-omi KATO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学 工学部 電子情報工学科 Faculty of Engineering, Tokyo Institute of Polytechnics |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 星 陽一 / Yoichi HOSHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工芸大学 工学部 電子情報工学科 Faculty of Engineering, Tokyo Institute of Polytechnics |
| 発表年月日 | 2002/11/6 |
| 資料番号 | CPM2002-117 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 434 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |