| 講演名 | 2002/11/6 Hot-wire CVD法を用いた立方晶窒化ガリウムのエピタキシャル成長 石橋 充好, 金内 海, 安井 寛治, 赤羽 正志, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 閃亜鉛鉱型基板上へ成長する立方晶窒化ガリウム(c-GaN)は、熱力学的には準安定相であるものの、六方晶窒化ガリウム(h-GaN)に比べてより優れた移動度や飽和ドリフト速度を持つことが予想されている。そこで、タングステンのフィラメント又はメッシュを用いたhot-wire CVD法を用いてGaAs基板上にc-GaN膜を成長させることを試みた。その結果、基板温度550[℃]、フィラメント温度1200[℃]、NH_3圧力130[Pa]、フィラメント-基板間距離10[mm]で窒化層を形成した基板上に成長を行った時、半値幅0.83[deg]の最も立方晶優位なGaNが得られた。また、フィラメントをタングステンメッシュに変更したところ、同条件において回折ピーク強度が約4倍になった。 |
| 抄録(英) | Cubilc gallium nitride (c-GaN), which is metastable phase, can be grown on several kinds of substrates with zincblend structure such as (100) phase of GaAs and 3C-SiC. Compared with hexagonal GaN (h-GaN), c-GaN is expected to show larger electron saturation drift velocity. In this study, hot-wire CVD method was used to decompose NH_3 on hot W-wire surface in order to nitride GaAs substrate surface and to grow c-GaN epitaxial films. By the epitaxial growth after nitridation at substrate temperature 550[℃], filament temperature 1200[℃] NH_3 pressure 130[Pa], GaN film preponderant with cubic phase was grown. In order to improve the growth rate, growth using hot W-mesh was also tried. At the substrate temperature 550[℃], XRD peak intensity of GaN films grown using W-mesh was four times that of GaN grown using W-filament. |
| キーワード(和) | Hot-wire CVD法 / 立方晶窒化ガリウム / エピタキシャル成長 |
| キーワード(英) | Hot-wire CVD method / cubic GaN / epitaxial growth |
| 資料番号 | CPM2002-126 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2002/11/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Hot-wire CVD法を用いた立方晶窒化ガリウムのエピタキシャル成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Epitaxial growth of cubic GaN using Hot-wire CVD method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Hot-wire CVD法 / Hot-wire CVD method |
| キーワード(2)（和/英） | 立方晶窒化ガリウム / cubic GaN |
| キーワード(3)（和/英） | エピタキシャル成長 / epitaxial growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石橋 充好 / Mitsuyoshi ISHIBASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 金内 海 / Kai KANAUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 安井 寛治 / Kanji YASUI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 赤羽 正志 / Tadashi AKAHANE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学工学部電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
| 発表年月日 | 2002/11/6 |
| 資料番号 | CPM2002-126 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 434 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |