エレクトロニクス-電子部品・材料(開催日:2011/10/19)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2011/10/19
[資料番号]
目次

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[発表日]2011/10/19
[資料番号]
複合ターゲットを用いた反応性スパッタリング法によるCuAlO_2薄膜の作製と構造評価(薄膜プロセス・材料,一般)

横本 拓也,  前田 洋輔,  宮澤 匠,  山上 朋彦,  阿部 克也,  

[発表日]2011/10/19
[資料番号]CPM2011-109
低電圧駆動フレキシブル有機EL素子のためのITO薄膜の検討(薄膜プロセス・材料,一般)

劉 暢,  松井 博章,  木伏 貴映,  清水 英彦,  岩野 春男,  福嶋 康夫,  永田 向太郎,  坪井 望,  野本 隆宏,  

[発表日]2011/10/19
[資料番号]CPM2011-110
RF-DC結合形スパッタ法による室温成膜AZO薄膜の特性(薄膜プロセス・材料,一般)

樫出 淳,  名越 克仁,  富口 祐輔,  清水 英彦,  岩野 春男,  川上 貴浩,  永田 向太郎,  福嶋 康夫,  坪井 望,  野本 隆宏,  

[発表日]2011/10/19
[資料番号]CPM2011-111
Bi_2Sr_2CaCu_2O_xスタックからのテラヘルツ波検出法に関する研究(薄膜プロセス・材料,一般)

加藤 孝弘,  浅野 武史,  須永 悟,  川上 彰,  安井 寛治,  濱崎 勝義,  

[発表日]2011/10/19
[資料番号]CPM2011-112
MOVPE法による中間組成域n-InAlN/p-InGaNヘテロ接合の作製(薄膜プロセス・材料,一般)

堀田 徹,  杉田 憲一,  / 橋本 明弘,  山木 〓勇,  

[発表日]2011/10/19
[資料番号]CPM2011-113
MOCVD法によるInGaN膜を被覆した高耐食性固体高分子形燃料電池用ステンレス鋼製セパレータ(薄膜プロセス・材料,一般)

嶋橋 政徳,  松井 和也,  岡田 晃治,  杉田 憲一,  佐々木 肇,  山本 〓勇,  

[発表日]2011/10/19
[資料番号]CPM2011-114
光化学堆積法による新たな混晶半導体Cu_xZn_yS薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)

満都拉,  市村 正也,  

[発表日]2011/10/19
[資料番号]CPM2011-115
遷移金属を含有した低純度Si基板を用いた太陽電池の試作(薄膜プロセス・材料,一般)

武田 大樹,  都築 暁,  籾山 克章,  鹿又 健作,  鈴木 貴彦,  廣瀬 文彦,  

[発表日]2011/10/19
[資料番号]CPM2011-116
NiSi相の形成とCuコンタクトへの適用(薄膜プロセス・材料,一般)

武山 真弓,  佐藤 勝,  野矢 厚,  

[発表日]2011/10/19
[資料番号]CPM2011-117
SiCコーティングしたグラファイト触媒を用いたSiC薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)

坂口 優也,  牛草 遼平,  周 澤宇,  山上 朋彦,  阿部 克也,  

[発表日]2011/10/19
[資料番号]CPM2011-118
TEOSを原料とするCVD法によるSiO_2/SiC MOS構造の作製(薄膜プロセス・材料,一般)

逸見 充則,  井口 裕哉,  酒井 崇史,  杉田 晴彦,  山上 朋彦,  林部 林平,  上村 喜一,  

[発表日]2011/10/19
[資料番号]CPM2011-119
MOVPE法によるSi(111)基板上への中間組成InGaN膜の成長(薄膜プロセス・材料,一般)

三原 章宏,  杉田 憲一,  / 橋本 明弘,  山本 〓勇,  渡邉 則之,  重川 直輝,  

[発表日]2011/10/19
[資料番号]CPM2011-120
NH_3分解触媒を用いたInNのMOVPE成長(薄膜プロセス・材料,一般)

廣長 大造,  杉田 憲一,  / 橋本 明弘,  山本 〓勇,  

[発表日]2011/10/19
[資料番号]CPM2011-121
複写される方へ

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[発表日]2011/10/19
[資料番号]
Notice for Photocopying

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[発表日]2011/10/19
[資料番号]
奥付

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[発表日]2011/10/19
[資料番号]
裏表紙

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[発表日]2011/10/19
[資料番号]