講演名 2011-10-26
RF-DC結合形スパッタ法による室温成膜AZO薄膜の特性(薄膜プロセス・材料,一般)
樫出 淳, 名越 克仁, 富口 祐輔, 清水 英彦, 岩野 春男, 川上 貴浩, 永田 向太郎, 福嶋 康夫, 坪井 望, 野本 隆宏,
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抄録(和) 本研究では,低電圧でのスパッタが可能なRF-DC結合形スパッタ法(低電圧スパッタ法)に注目し,この方法により室温にてAZO薄膜を作製し,検討を行った。その結果,低電圧スパッタ法にて作製した薄膜の結晶性及び電気特性は,通常のDCマグネトロンスパッタ法に比べ,基板位置による変化が少なかった。これらのことから,膜面内方向における特性の変化を抑制する方法として低電庄スパッタ法は有効であると考えられた。
抄録(英) In order to examine that influence of low voltage sputtering method on properties of AZO thin films, deposition of AZO thin films was attempted at the room temperature by the RF-DC coupled magnetron sputtering method. As a result, crystallinity and electrical properties of AZO thin films deposited by low voltage sputtering method were small changes in substrate positions compared with properties of AZO thin films deposited by DC magnetron sputtering method. Therefore, it was thought that RF-DC coupled magnetron sputtering method was a useful technique for improvements of the characteristic change in the film plane direction.
キーワード(和) ZnO系透明導電膜 / RF-DC結合形スパッタ法 / 結晶性 / エロージョン
キーワード(英) ZnO thin films / RF-DC coupled MS method / crystallinity / Erosion
資料番号 CPM2011-111
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2011/10/19(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) RF-DC結合形スパッタ法による室温成膜AZO薄膜の特性(薄膜プロセス・材料,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Properties of AZO Thin Films Deposited at Room Temperature by the RF-DC Coupled Magnetron Sputtering Method
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ZnO系透明導電膜 / ZnO thin films
キーワード(2)(和/英) RF-DC結合形スパッタ法 / RF-DC coupled MS method
キーワード(3)(和/英) 結晶性 / crystallinity
キーワード(4)(和/英) エロージョン / Erosion
第 1 著者 氏名(和/英) 樫出 淳 / Jun Kashiide
第 1 著者 所属(和/英) 新潟大学大学院自然科学研究科
Graduate School of Science and Technology, Niigata University
第 2 著者 氏名(和/英) 名越 克仁 / Katsuhito Nagoshi
第 2 著者 所属(和/英) 新潟大学大学院自然科学研究科
Graduate School of Science and Technology, Niigata University
第 3 著者 氏名(和/英) 富口 祐輔 / Yusuke Tomiguchi
第 3 著者 所属(和/英) 新潟大学工学部
Faculty of Engineering, Niigata University
第 4 著者 氏名(和/英) 清水 英彦 / Hidehiko Shimizu
第 4 著者 所属(和/英) 新潟大学工学部
Faculty of Engineering, Niigata University
第 5 著者 氏名(和/英) 岩野 春男 / Haruo Iwano
第 5 著者 所属(和/英) 新潟大学工学部
Faculty of Engineering, Niigata University
第 6 著者 氏名(和/英) 川上 貴浩 / Takahiro Kawakami
第 6 著者 所属(和/英) 新潟大学工学部
Faculty of Engineering, Niigata University
第 7 著者 氏名(和/英) 永田 向太郎 / Koutarou Nagata
第 7 著者 所属(和/英) 新潟大学工学部
Faculty of Engineering, Niigata University
第 8 著者 氏名(和/英) 福嶋 康夫 / Yasuo Fukushima
第 8 著者 所属(和/英) 新潟大学工学部
Faculty of Engineering, Niigata University
第 9 著者 氏名(和/英) 坪井 望 / Nozomu Tsuboi
第 9 著者 所属(和/英) 新潟大学工学部
Faculty of Engineering, Niigata University
第 10 著者 氏名(和/英) 野本 隆宏 / Takahiro Nomoto
第 10 著者 所属(和/英) 新潟大学工学部
Faculty of Engineering, Niigata University
発表年月日 2011-10-26
資料番号 CPM2011-111
巻番号(vol) vol.111
号番号(no) 264
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日