| 講演名 | 2011-10-26 MOVPE法による中間組成域n-InAlN/p-InGaNヘテロ接合の作製(薄膜プロセス・材料,一般) 堀田 徹, 杉田 憲一, / 橋本 明弘, 山木 〓勇, |
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| 抄録(和) | InGaNとInAINによるヘテロ構造デバイス作製にむけて、MOVPE法を用いて単層でのInAlN、InGaNの成長条件を確立し、中間組成領域のInAlNとInGaNとのヘテロ構造の作製を検討した。その結果、相分離やIn析出のないn-In_<0.3>Al_<0.7>N/p-In_<0.2>Ga_<0.8>Nヘテロ接合を作製し、この構造で初めて整流性と光応答を確認した。 |
| 抄録(英) | MOVPE growth of InAlN and InGaN has been studied in order to develop basic technologies for InAlN/InGaN heterostructure devices. By changing growth temperature and TMI/(TMI+TEG) or TMI/(TMI+TMA) molar ratio, single crystalline InGaN and InAIN films with an intermediate composition range have been grown without phase separation and metallic In inclusions. A n-In_<0.3>Al_<0.7>N/p-In_<0.2>Ga_<0.8>N hetero-structure has been successfully prepared and its rectification behavior and photo-response has been confirmed for the first time. |
| キーワード(和) | InAlN / InGaN / ヘテロ接合 / MOVPE |
| キーワード(英) | InAIN / InGaN / heterojunction / MOVPE. |
| 資料番号 | CPM2011-113 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2011/10/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPE法による中間組成域n-InAlN/p-InGaNヘテロ接合の作製(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOVPE growth of n-InAlN/p-InGaN heterojunction with an intermediate In composition range |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InAlN / InAIN |
| キーワード(2)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(3)（和/英） | ヘテロ接合 / heterojunction |
| キーワード(4)（和/英） | MOVPE / MOVPE. |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 堀田 徹 / T. Hotta |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福井大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, University of Fukui |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 杉田 憲一 / K. Sugita |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 福井大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, University of Fukui |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | / 橋本 明弘 / A. G. Bhuiyan |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 福井大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, University of Fukui |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山木 〓勇 / A. Hashimoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 福井大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, University of Fukui |
| 発表年月日 | 2011-10-26 |
| 資料番号 | CPM2011-113 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 264 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |