| 講演名 | 2011-10-27 TEOSを原料とするCVD法によるSiO_2/SiC MOS構造の作製(薄膜プロセス・材料,一般) 逸見 充則, 井口 裕哉, 酒井 崇史, 杉田 晴彦, 山上 朋彦, 林部 林平, 上村 喜一, |
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| 抄録(和) | TEOSを使用した熱CVD法により、SiC表面に酸化膜を堆積させた。酸化膜堆積後、N_2雰囲気中でアニールを行い、さらにH_2中でアニールを行なった。SiC表面と堆積させた酸化膜の界面特性および酸化膜の欠陥を評価するために、MOSキャパシタを作製した。MOSキャパシタの界面準位密度はTEOS酸化膜にN_2アニールのみを行なった試料が最も低く、伝導帯端から0.2eVでD_ |
| 抄録(英) | A oxide layer was deposited on a SiC surface by thermal chemical vapor deposition as a source material TEOS. After the deposition of the oxide layer , samples were annealed in N_2 atmosphere and H_2 atmosphere. The metal-oxide-semiconductor capacitor was formed to measure the interface properties between SiC surface and oxide layer and the properties of the defects in oxide layer. The lowest interface state density was obtained for the sample annealed N_2 atmosphere. The interface state density of those sample was 1.5×10^<11>cm^<-2>eV^<-1> at 0.2eV below the conduction band edge. The fixed oxide charge in oxide layer has been decreased by H_2 annealing. Annealed TEOS oxide layer will caused improvement of SiO_2/SiC interface properties and reduction of defects in oxide layer. |
| キーワード(和) | SiC / TEOS / MOS / 界面準位 / 固定電荷 |
| キーワード(英) | SiC / TEOS / MOS / interface states / fixed oxide charge |
| 資料番号 | CPM2011-119 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2011/10/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | TEOSを原料とするCVD法によるSiO_2/SiC MOS構造の作製(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation of SiC MOS structure using SiO_2 Layer deposited by Thermal Decomposition of TEOS |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(2)（和/英） | TEOS / TEOS |
| キーワード(3)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(4)（和/英） | 界面準位 / interface states |
| キーワード(5)（和/英） | 固定電荷 / fixed oxide charge |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 逸見 充則 / Mitsunori HEMMI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井口 裕哉 / Yuya IGUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 酒井 崇史 / Takashi SAKAI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 杉田 晴彦 / Akihiko SUGITA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山上 朋彦 / Tomohiko YAMAKAMI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 林部 林平 / Rinpei HAYASHIBE |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 上村 喜一 / Kiichi KAMIMURA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 発表年月日 | 2011-10-27 |
| 資料番号 | CPM2011-119 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 264 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |