| 講演名 | 2011-10-26 NiSi相の形成とCuコンタクトへの適用(薄膜プロセス・材料,一般) 武山 真弓, 佐藤 勝, 野矢 厚, |
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| 抄録(和) | NiSiは低抵抗でシリサイド反応に伴うSi消費量の少ない材料として注目されているが、NiSi_2への転位が750℃で起こることが知られている。我々は、NiSiの組織を工夫することで、この相の安定化を図ることができないか検討を行った。その結果、NiSiの形成温度(350℃)に近い低温で固相反応させることによって、結晶粒径の小さい均一な相を得ることが可能であり、そのようなNiSi膜は750℃の熱処理によっても、NiSi相で存在することが分かり、シリサイドの組織を工夫することの重要性が知られた。また、Cuプラグの可能性を調べるためにCu/NiSi/Siコンタクトを作製し、その劣化過程を検討した。その結果、350℃からCuの拡散が始まり、Cuシリサイドの形成する反応によりコンタクトが劣化する過程が分かり、有効な拡散バリヤの検討が必要なことが知られた。 |
| 抄録(英) | Monosilicide of NiSi is attractive due to its low resistivity, phase stability up to at 750℃, the phase transition point to NiSi_2, and smaller Si consumption during silicidation reaction than those of disilicides. In this study, we have proposed and examined an increased transition temperature from NiSi to NiSia by controlling the texture of NiSi. As a result, by choosing the reaction temperature of 380℃, close to 350℃ the formation temperature of NiSi, we can obtain a uniform NiSi film with decreased crystalline grains. In such a film, the NiSi phase is still stable at the temperature of 750℃. It is revealed that the nanocrystalline texture of NiSi is effective for improving the stability of the NiSi phase. The degradation process of the Cu/NiSi/Si contact is examined for the application of Cu plugs in the contacts. The Cu diffusion into the NiSi layer starts at 350℃ forming Cu-silicides. This solid-phase reaction leads to the degradation of the contact. The use of a barrier layer is suggestive between Cu and NiSi. |
| キーワード(和) | Cuプラグ / Niシリサイド / 低抵抗 / 相転移 / フロントエンド |
| キーワード(英) | Cu plug / Ni-silicides / low resistivity / phase transition / front end |
| 資料番号 | CPM2011-117 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2011/10/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | NiSi相の形成とCuコンタクトへの適用(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of NiSi silicide and its application to Cu contacts |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cuプラグ / Cu plug |
| キーワード(2)（和/英） | Niシリサイド / Ni-silicides |
| キーワード(3)（和/英） | 低抵抗 / low resistivity |
| キーワード(4)（和/英） | 相転移 / phase transition |
| キーワード(5)（和/英） | フロントエンド / front end |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Mayumi B. TAKEYAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Faculty of Engineering, Kitami institute of technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐藤 勝 / Masaru SATO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Faculty of Engineering, Kitami institute of technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野矢 厚 / Atsushi NOYA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Faculty of Engineering, Kitami institute of technology |
| 発表年月日 | 2011-10-26 |
| 資料番号 | CPM2011-117 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 264 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |