| 講演名 | 2011-10-27 SiCコーティングしたグラファイト触媒を用いたSiC薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般) 坂口 優也, 牛草 遼平, 周 澤宇, 山上 朋彦, 阿部 克也, |
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| 抄録(和) | SiCコーティンググラファイト触媒を用いたHW-CVD法により、p-Si(001)及びガラス基板上へのSiC薄膜の低温形成を試みた。原料ガスをSiH_3CH_3、希釈ガスをH_2とし、SiCコーティンググラファイト触媒温度、基板設定温度、水素希釈比、成長圧力の各依存性について調査した。その結果、250℃という低基板温度においてアモルファスSiC膜を得ることに成功した。また、成長圧力依存性の調査結果から成長圧力が高くなるに従って薄膜の組成がSiリッチとなることがわかり、ストイキオメトリーなSiC薄膜を形成するには低圧成長が望ましいとわかった。 |
| 抄録(英) | Silicon carbide films were prepared on p-Si(001) and glass substrates by hot-wire chemical vapor deposition using graphite filaments coated with SiC and a gas mixture of SiH_3CH_3 and H_2 at low substrate temperature. The dependences on filament temperature, substrate temperature, hydrogen dilution ratio and growth pressure were investigated. The amorphous SiC films were successfully obtained at a low substrate temperature of 250℃. It was found from the growth pressure dependence that the higher growth pressure resulted in Si rich films. The results indicated the requirement of the low growth pressure for depositing stoichiometric SiC films. |
| キーワード(和) | シリコンカーバイド / HW-CVD法 / グラファイト触媒 / 低温形成 |
| キーワード(英) | SiC / HW-CVD / graphite filament / low temperature growth |
| 資料番号 | CPM2011-118 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2011/10/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiCコーティングしたグラファイト触媒を用いたSiC薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of SiC films by HW-CVD using graphite filaments coated with SiC |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンカーバイド / SiC |
| キーワード(2)（和/英） | HW-CVD法 / HW-CVD |
| キーワード(3)（和/英） | グラファイト触媒 / graphite filament |
| キーワード(4)（和/英） | 低温形成 / low temperature growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 坂口 優也 / Yuya SAKAGUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 牛草 遼平 / Ryohei USHIKUSA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 周 澤宇 / Takuu SYU |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山上 朋彦 / Tomohiko YAMAKAMI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 阿部 克也 / Katsuya ABE |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University |
| 発表年月日 | 2011-10-27 |
| 資料番号 | CPM2011-118 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 264 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |