講演名 | 2011-10-26 遷移金属を含有した低純度Si基板を用いた太陽電池の試作(薄膜プロセス・材料,一般) 武田 大樹, 都築 暁, 籾山 克章, 鹿又 健作, 鈴木 貴彦, 廣瀬 文彦, |
---|---|
PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
抄録(和) | Si太陽電池のコスト削減のために、低コスト材料である低純度Siの利用が期待されている。本研究では、低純度Siの利用を想定し、遷移金属を含有した単結晶Si基板に対してPSGゲッタリング処理を施した基板を用いて、太陽電池を試作した。その結果、ゲッタリング処理を施した太陽電池の発電特性は、LSIグレード単結晶Si基板を用いた場合と同等であり、遷移金属種を除去するためにPSGゲッタリングが有効であることがわかった。また、高温アニールによるPの表面偏析に着目し、Pを多く含有する低純度多結晶Si基板に対する高温アニールの効果を検証した。結果として、検討が必要であるものの、この方法で基板表層のPを除去できる可能性があることがわかった。 |
抄録(英) | |
キーワード(和) | Si太陽電池 / ゲッタリング / 遷移金属 / 表面偏析 |
キーワード(英) | |
資料番号 | CPM2011-116 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
---|---|
開催期間 | 2011/10/19(から1日開催) |
開催地(和) | |
開催地(英) | |
テーマ(和) | |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | |
委員長氏名(英) | |
副委員長氏名(和) | |
副委員長氏名(英) | |
幹事氏名(和) | |
幹事氏名(英) | |
幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
---|---|
本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 遷移金属を含有した低純度Si基板を用いた太陽電池の試作(薄膜プロセス・材料,一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | Si太陽電池 |
キーワード(2)(和/英) | ゲッタリング |
キーワード(3)(和/英) | 遷移金属 |
キーワード(4)(和/英) | 表面偏析 |
第 1 著者 氏名(和/英) | 武田 大樹 |
第 1 著者 所属(和/英) | 山形大学大学院理工学研究科 |
第 2 著者 氏名(和/英) | 都築 暁 |
第 2 著者 所属(和/英) | 山形大学大学院理工学研究科 |
第 3 著者 氏名(和/英) | 籾山 克章 |
第 3 著者 所属(和/英) | 山形大学大学院理工学研究科 |
第 4 著者 氏名(和/英) | 鹿又 健作 |
第 4 著者 所属(和/英) | 山形大学大学院理工学研究科 |
第 5 著者 氏名(和/英) | 鈴木 貴彦 |
第 5 著者 所属(和/英) | 山形大学大学院理工学研究科 |
第 6 著者 氏名(和/英) | 廣瀬 文彦 |
第 6 著者 所属(和/英) | 山形大学大学院理工学研究科 |
発表年月日 | 2011-10-26 |
資料番号 | CPM2011-116 |
巻番号(vol) | vol.111 |
号番号(no) | 264 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 3 |
発行日 |