講演名 2011-10-26
遷移金属を含有した低純度Si基板を用いた太陽電池の試作(薄膜プロセス・材料,一般)
武田 大樹, 都築 暁, 籾山 克章, 鹿又 健作, 鈴木 貴彦, 廣瀬 文彦,
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抄録(和) Si太陽電池のコスト削減のために、低コスト材料である低純度Siの利用が期待されている。本研究では、低純度Siの利用を想定し、遷移金属を含有した単結晶Si基板に対してPSGゲッタリング処理を施した基板を用いて、太陽電池を試作した。その結果、ゲッタリング処理を施した太陽電池の発電特性は、LSIグレード単結晶Si基板を用いた場合と同等であり、遷移金属種を除去するためにPSGゲッタリングが有効であることがわかった。また、高温アニールによるPの表面偏析に着目し、Pを多く含有する低純度多結晶Si基板に対する高温アニールの効果を検証した。結果として、検討が必要であるものの、この方法で基板表層のPを除去できる可能性があることがわかった。
抄録(英)
キーワード(和) Si太陽電池 / ゲッタリング / 遷移金属 / 表面偏析
キーワード(英)
資料番号 CPM2011-116
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2011/10/19(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 遷移金属を含有した低純度Si基板を用いた太陽電池の試作(薄膜プロセス・材料,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英)
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) Si太陽電池
キーワード(2)(和/英) ゲッタリング
キーワード(3)(和/英) 遷移金属
キーワード(4)(和/英) 表面偏析
第 1 著者 氏名(和/英) 武田 大樹
第 1 著者 所属(和/英) 山形大学大学院理工学研究科
第 2 著者 氏名(和/英) 都築 暁
第 2 著者 所属(和/英) 山形大学大学院理工学研究科
第 3 著者 氏名(和/英) 籾山 克章
第 3 著者 所属(和/英) 山形大学大学院理工学研究科
第 4 著者 氏名(和/英) 鹿又 健作
第 4 著者 所属(和/英) 山形大学大学院理工学研究科
第 5 著者 氏名(和/英) 鈴木 貴彦
第 5 著者 所属(和/英) 山形大学大学院理工学研究科
第 6 著者 氏名(和/英) 廣瀬 文彦
第 6 著者 所属(和/英) 山形大学大学院理工学研究科
発表年月日 2011-10-26
資料番号 CPM2011-116
巻番号(vol) vol.111
号番号(no) 264
ページ範囲 pp.-
ページ数 3
発行日