| 講演名 | 2011-10-26 光化学堆積法による新たな混晶半導体Cu_xZn_yS薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般) 満都拉, 市村 正也, |
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| 抄録(和) | 光化学堆積は水溶液に紫外線を照射することで反応を誘起して基板に薄膜を堆積させる方法である。本研究では、Cu_xSとZnSの混晶である新たな半導体Cu_xZn_ySの薄膜を光化学堆積にて作製した。Cu_xSは1.7～2.5eVのバンドギャップを持つp型半導体であり、ZnSは3.65eVのバンドギャップを持つn型半導体である。純水に硫酸銅、硫酸亜鉛、チオ硫酸ナトリウムを溶かし、その濃度やpHなどを変え堆積を行った。その結果、バンドギャップが2.4～3.7eVのp型の薄膜が得られた。 |
| 抄録(英) | The photochemical deposition is a thin film deposition method which is realized by the reaction due to ultraviolet radiation in aqueous solution. In this research, thin films of a new alloy semiconductor Cu_xZn_yS, which is composed of Cu_xS and ZnS, is fabricated by the photochemical deposition. Cu_xS is a p-type semiconductor with a band gap of 1.7～2.5eV, and ZnS is an n-type semiconductor with a band gap of 3.65eV. p-type Cu_xZn_yS films with a band gap between 2.5-3.7eV are deposited from a solution containing CuSO_4, ZnSO_4, and Na_2S_2O_3, and influences of various deposition parameters are investigated, such as pH and ion concentration. |
| キーワード(和) | 光化学堆積(PCD)法 / 混晶半導体 / Cu_xZn_yS / 光電気化学測定 |
| キーワード(英) | Photochemical deposition / alloy semiconductor / Cu_xZn_yS / Photoelectrochemical measurement |
| 資料番号 | CPM2011-115 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2011/10/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 光化学堆積法による新たな混晶半導体Cu_xZn_yS薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of thin films of new alloy semiconductor Cu_xZn_yS by the photochemical deposition method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光化学堆積(PCD)法 / Photochemical deposition |
| キーワード(2)（和/英） | 混晶半導体 / alloy semiconductor |
| キーワード(3)（和/英） | Cu_xZn_yS / Cu_xZn_yS |
| キーワード(4)（和/英） | 光電気化学測定 / Photoelectrochemical measurement |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 満都拉 / MANDULA M |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学機能工学専攻 Dept. Eng. Phys., Electronics, Mech., Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya ICHIMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学機能工学専攻 Dept. Eng. Phys., Electronics, Mech., Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2011-10-26 |
| 資料番号 | CPM2011-115 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 264 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |