| 講演名 | 2011-10-27 MOVPE法によるSi(111)基板上への中間組成InGaN膜の成長(薄膜プロセス・材料,一般) 三原 章宏, 杉田 憲一, / 橋本 明弘, 山本 〓勇, 渡邉 則之, 重川 直輝, |
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| 抄録(和) | InGaN/Siタンデム太陽電池では、InGaNのIn組成が0.45の場合、両サブセルの電流整合が実現されるとともに、n-InGaNとp-Siとの間で不純物の高濃度添加なしにトンネル接合が形成されることが予想されている。我々は、そのような利点を生かしたInGaN/Si構造タンデム太陽電池の実現をねらいとして、Si(111)基板上へのInGaN膜のMOVPE成長を検討した。その結果、TMI/(TMI+TGE)供給モル比ならびに成長温度の最適化によりIn組成0～0.49のInGaN単結晶膜成長を実現した。 |
| 抄録(英) | This paper reports on the MOVPE growth of In_xGa_<1-x>N with x up to ～0.49 on AlN/Si(111) substrates. Single-crystalline In_xGa_<1-x>N films with x up to ～0.49 are successfully grown on Si(lll) substrates without phase separation and metallic In incorporation by changing the growth temperature and TMI/(TMI+TEG) molar ratio. These works will allow us towards the fabrication of the future InGaN-Si tandem cell using MOVPE. |
| キーワード(和) | InGaN / Si(111) / MOVPE |
| キーワード(英) | InGaN / Si(111) / MOVPE |
| 資料番号 | CPM2011-120 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2011/10/19(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPE法によるSi(111)基板上への中間組成InGaN膜の成長(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOVPE growth of InGaN on Si(111) substrates with an intermediate range of In content |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(2)（和/英） | Si(111) / Si(111) |
| キーワード(3)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 三原 章宏 / A. Mihara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Engineering, University of Fukui |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 杉田 憲一 / K. Sugita |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Engineering, University of Fukui |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | / 橋本 明弘 / Ashraful G. Bhuivan |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Engineering, University of Fukui |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山本 〓勇 / A. Hashimoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Engineering, University of Fukui |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 渡邉 則之 / A. Yamamoto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 福井大学工学部 Faculty of Engineering, University of Fukui |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 重川 直輝 / N. Watanabe |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 発表年月日 | 2011-10-27 |
| 資料番号 | CPM2011-120 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 264 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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