エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2008/11/20)

タイトル/著者/発表日/資料番号
MOVPE法によるAlGaN結晶成長の熱流体解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

平子 晃,  市川 晶也,  中村 健一,  大川 和宏,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-170,CPM2008-119,LQE2008-114
InGaNの2種の柱面からの発光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

蟹江 壽,  明石 健一,  積木 秀実,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-171,CPM2008-120,LQE2008-115
非c面(Al)InGaN混晶基板上InGaN量子井戸の偏光特性の理論予測(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

山口 敦史,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-172,CPM2008-121,LQE2008-116
AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因したラグ現象や電流コラプスに与えるフィールドプレート効果の2次元解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

中島 敦,  板垣 圭一,  堀尾 和重,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-173,CPM2008-122,LQE2008-117
AlGaN/GaN HEMTの最適フィールドプレート設計(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

酒井 亮輔,  岡井 智隆,  塩島 謙次,  葛原 正明,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-174,CPM2008-123,LQE2008-118
HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション : HfO_2/AlGaN界面の影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

林 慶寿,  杉浦 俊,  岸本 茂,  水谷 孝,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-175,CPM2008-124,LQE2008-119
ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

合田 祐司,  林 慶寿,  大野 雄高,  岸本 茂,  水谷 孝,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-176,CPM2008-125,LQE2008-120
p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

李 旭,  黒内 正仁,  岸本 茂,  水谷 孝,  中村 文彦,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-177,CPM2008-126,LQE2008-121
100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

多木 俊裕,  吉川 俊英,  金村 雅仁,  今西 健治,  牧山 剛三,  岡本 直哉,  常信 和清,  原 直紀,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-178,CPM2008-127,LQE2008-122
Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の多層膜構造検討による厚膜化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

鈴江 隆晃,  鈴木 暢倫,  野村 幸靖,  江川 孝志,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-179,CPM2008-128,LQE2008-123
表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

廣木 正伸,  前田 就彦,  小林 隆,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-180,CPM2008-129,LQE2008-124
EBSD法によるAlGaN/GaNヘテロ構造の深さ方向歪み解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

石堂 輝樹,  松尾 尚慶,  片山 琢磨,  上田 哲三,  井上 薫,  上田 大助,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-181,CPM2008-130,LQE2008-125
AlGaN/GaNヘテロ構造における曲げ変形と2DEGのシミュレーション(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

束原 肇,  中村 成志,  奥村 次徳,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-182,CPM2008-131,LQE2008-126
Pd/AlGaN/GaN HEMT型水素ガスセンサにおける水素検出メカニズムの検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

高橋 紀行,  中村 成志,  奥村 次徳,  

[発表日]2008/11/20
[資料番号]ED2008-183,CPM2008-132,LQE2008-127
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