| 講演名 | 2008-11-28 AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因したラグ現象や電流コラプスに与えるフィールドプレート効果の2次元解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 中島 敦, 板垣 圭一, 堀尾 和重, |
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| 抄録(和) | 半絶縁バッファ層中に深いドナーと深いアクセプタを考慮したフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTの2次元過渡解析を行い,その結果から模擬的なパルス電流電圧特性を求めた.そして,フィールドプレートの存在がバッファ層に起因したドレインラグ,ゲートラグ及び電流コラプスにどのような影響を与えるか調べた.その結果,フィールドプレート導入により,電子がバッファ層中に注入される程度が弱まりトラッピング効果が軽減され,ドレインラグが小さくなることが示された.また,フィールドプレート構造では電流コラプスやゲートラグが軽減されることが示された.さらに,フィールドプレート下SiN厚依存性を解析した所,バッファ層に起因した電流コラプスやドレインラグを最小限にするには,SiN膜厚にある最適値が存在することが示された. |
| 抄録(英) | Two-dimensional transient analyses of field-plate AlGaN/GaN HEMTs are performed in which a deep donor and a deep acceptor are considered in a semi-insulating buffer layer, and quasi-pulsed current-voltage curves are derived from them. It is studied how the existence of field plate affects buffer-related drain lag, gate lag and current collapse. It is shown that the drain lag is reduced by introducing a field plate, because electron injection into the buffer layer is weakened by it, and the trapping effects are reduced. It is also shown that the current collapse and gate lag are reduced in the field-plate structures. The dependence on SiN passivation layer thickness is also studied, suggesting that there is an optimum thickness of SiN layer to minimize the buffer-related current collapse and drain lag in AlGaN/GaN HEMTs. |
| キーワード(和) | GaN / HEMT / フィールドプレート / 電流コラプス / ドレインラグ / トラップ / 2次元数値解析 |
| キーワード(英) | GaN / HEMT / Field Plate / Current Collapse / Drain Lag / Trap / Two-Dimensional Numerical Analysis |
| 資料番号 | ED2008-173,CPM2008-122,LQE2008-117 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/11/20(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因したラグ現象や電流コラプスに与えるフィールドプレート効果の2次元解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Two-Dimensional Analysis of Field-Plate Effects on Buffer-Related Lag Phenomena and Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | フィールドプレート / Field Plate |
| キーワード(4)（和/英） | 電流コラプス / Current Collapse |
| キーワード(5)（和/英） | ドレインラグ / Drain Lag |
| キーワード(6)（和/英） | トラップ / Trap |
| キーワード(7)（和/英） | 2次元数値解析 / Two-Dimensional Numerical Analysis |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中島 敦 / Atsushi NAKAJIMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学システム工学部 Faculty of Systems Engineering, Shibaura Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 板垣 圭一 / Keiichi ITAGAKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学システム工学部 Faculty of Systems Engineering, Shibaura Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 堀尾 和重 / Kazushige HORIO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学システム工学部 Faculty of Systems Engineering, Shibaura Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2008-11-28 |
| 資料番号 | ED2008-173,CPM2008-122,LQE2008-117 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 321 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |