| 講演名 | 2008-11-28 p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 李 旭, 黒内 正仁, 岸本 茂, 水谷 孝, 中村 文彦, |
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| 抄録(和) | p-InGaN cap層を用いたAlGaN/GaN HEMTsを作製しデバイスの特性評価を行った。p-InGaN capのMg活性化のためのアニール温度を調べたところ、800℃アニールでは比較的良好なFET特性を示した。作製したp-InGaN cap (800℃) HEMTsの閾値電圧は1.1Vであり、十分なノーマリオフ特性が実現できた。この値はInGaN capなしHEMTsの-1.1V、i-InGaN cap HEMTsの-0.2Vに比べて、それぞれ2.2V、1.3Vのシフト量である。p-InGaN cap (800℃) HEMTsのg_ |
| 抄録(英) | We have fabricated AlGaN/GaN HEMTs with a thin p-InGaN cap layer and measured I-V characteristics of the devices. For the activation of M_g in p-InGaN cap layer, annealing at 800℃ was relatively good. Compared to AlGaN/GaN HEMTs without InGaN cap layer and i-InGaN cap HEMTs, the threshold voltage of p-InGaN cap (800℃) HEMTs shifted about 2.2V, 1.3V respectively and was 1.1V. The complete normally-off operation of AlGaN/GaN HEMTs has been realized. For p-InGaN cap (800℃) HEMTs, a higher g_ |
| キーワード(和) | AlGaN/GaN HEMT / p-InGaN cap / 活性化アニール / ノーマリオフ / ゲートリーク電流 |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN HEMT / p-InGaN cap / activation annealing / normally-off / gate leakage current |
| 資料番号 | ED2008-177,CPM2008-126,LQE2008-121 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/11/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Normally-off mode AlGaN/GaN HEMTs with p-InGaN Cap Layer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN HEMT / AlGaN/GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | p-InGaN cap / p-InGaN cap |
| キーワード(3)（和/英） | 活性化アニール / activation annealing |
| キーワード(4)（和/英） | ノーマリオフ / normally-off |
| キーワード(5)（和/英） | ゲートリーク電流 / gate leakage current |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 李 旭 / Xu LI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Quantum Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 黒内 正仁 / Masahito KUROUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Quantum Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岸本 茂 / Shigeru KISHIMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Quantum Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 水谷 孝 / Takashi MIZUTANI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Quantum Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中村 文彦 / Fumihiko NAKAMURA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | パウデック(株) POWDEC K.K. |
| 発表年月日 | 2008-11-28 |
| 資料番号 | ED2008-177,CPM2008-126,LQE2008-121 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 321 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |