| 講演名 | 2008-11-28 表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 廣木 正伸, 前田 就彦, 小林 隆, |
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| 抄録(和) | 表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造を作製した.InAlNのIn組成0.13から0.31の間で電子濃度が2.3x10^<13>から9x10^<12>cm^<-2>と幅広く変化すること,電子移動度が1050から1960cm^2/Vsと増加することを確認した.HFETを作製したところ,230mS/mmと高い相互コンダクタンスを得た.また従来構造InAlN/AlN/GaN HFETと比較し,新構造ではサブスレッショルド特性,暗電流が改善された.これは表面平坦性の改善によるものと考えられる. |
| 抄録(英) | We fabricated In_xAl_<1-x>N/Al_<0.38>Ga_<0.62>N/AlN/GaN hetero-structures with flat surfaces and high electron mobility. The density of the two-dimensional electron gas varies over a wide range and decreases from 2.3x10^<13> to 9x10^<12>cm^<-2>. The electron mobility is higher than that of conventional InAlN/AlN/GaN in the range of In content in InAlN from 0.13 to 0.31. The mobility increases from 1050 to 1960cm^2/V・s with increasing In content. A high transconductance of 230mS/mm and a large drain current of 1.2A/mm are obtained in field effect transistors made from both structures. For the new structure, the subthreshold swing is lowered 1.5 to 0.6V/dec. and the dark current is reduced 10^<-2> to 10^<-3>A/mm. The smoother surface of the new structure improves these parameters. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | GaN / AlGaN / InAlN / HEMT / HFET |
| 資料番号 | ED2008-180,CPM2008-129,LQE2008-124 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/11/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Flat Surface and High Electron Mobility of InAlN/AlGaN/AlN/GaN Heterostructures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / GaN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 廣木 正伸 / Masanobu HIROKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics. Laboratories, NTT Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 前田 就彦 / Narihiko MAEDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics. Laboratories, NTT Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小林 隆 / Takashi KOBAYASHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所:(現)NTTアドバンステクノロジ株式会社 NTT Photonics. Laboratories, NTT Corporation:(Present office)NTT Advanced Technology Corporation |
| 発表年月日 | 2008-11-28 |
| 資料番号 | ED2008-180,CPM2008-129,LQE2008-124 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 321 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |