| 講演名 | 2008-11-28 InGaNの2種の柱面からの発光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 蟹江 壽, 明石 健一, 積木 秀実, |
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| 抄録(和) | 青色のカソードルミネッセンス(CL)を示すInGaN結晶をGaNとIn硫化物を混ぜ合わせて1000℃でアンモニアと反応させて得た。得られたInGaN結晶は12面の柱面のある晶癖を持っていた。高空間分解能CL装置でこの結晶を観察したところ、強い青色CL発光を示す五角形の柱面と、あまり強い発光を示さない長方形の柱面が交互に並んでいた。これら2種の柱面の指数付けを後方散乱電子回折像(EBSP)を用いて行い、五角形の柱面は{11-20}a面、長方形の柱面は{1-100}m面であるとした。GaNの晶癖面の違いによりその上に成長するInGaNの発光特性が異なる点について議論する。 |
| 抄録(英) | InGaN crystals yielding blue cathodoluminescence (CL) were grown by the nitridation of the mixture of GaN crystals with indium sulfide powders in an ammonia flow at 1000℃. Grown InGaN crystals have crystal habit with twelve prismatic planes. By a highly spatially resolved CL imagining study on a scanning electron microscope equipped with a monochromator the prismatic planes are grouped into two groups: pentagonal shaped planes yielding blue CL and rectangular planes without luminescence. The pentagonal shaped plane is assigned to the {11-20} a-plane by electron backscattering pattern (EBSP) method. InGaN growth with In content controlled by GaN growth planes is discussed. |
| キーワード(和) | InGaN / GaN / 低電圧蛍光体 / m面 / a面 / CL特性 / EBSP |
| キーワード(英) | InGaN / GaN / low voltage phosphor / m plane / a plane / CL / EBSP |
| 資料番号 | ED2008-171,CPM2008-120,LQE2008-115 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/11/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InGaNの2種の柱面からの発光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Luminescence properties from two types of prismatic planes of InGaN |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | 低電圧蛍光体 / low voltage phosphor |
| キーワード(4)（和/英） | m面 / m plane |
| キーワード(5)（和/英） | a面 / a plane |
| キーワード(6)（和/英） | CL特性 / CL |
| キーワード(7)（和/英） | EBSP / EBSP |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 蟹江 壽 / Hisashi KANIE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京理科大学基礎工学部 Faculty of Industrial Science and Technology, Tokyo University of Science |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 明石 健一 / Kenichi AKASHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京理科大 / |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 積木 秀実 / Hidemi TUMUKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京理科大 |
| 発表年月日 | 2008-11-28 |
| 資料番号 | ED2008-171,CPM2008-120,LQE2008-115 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 321 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |