| 講演名 | 2008-11-28 Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の多層膜構造検討による厚膜化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 鈴江 隆晃, 鈴木 暢倫, 野村 幸靖, 江川 孝志, |
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| 抄録(和) | Si基板上AlGaN/GaN HEMTについて多層膜構造の検討により厚膜化を図った。多層膜構造をAlGaN/GaN,GaN/AlN,AlGaN/AlNとしてウエハーの反り量を測定したところ、反りの大小関係はAlGaN/GaN、GaN/AlN、AlGaN/AlNの順で小さく、多層膜の平均Al組成が高いほど小さいことがわかった。これは、GaNと多層膜の格子定数差に起因した圧縮歪がGaN層に発生したためと考えられる。表面クラックについては多層膜構造をAlGaN/AlNとしたところ、総膜厚が6μm程度までクラックフリーを達成できた。 |
| 抄録(英) | The study of AlGaN/GaN HEMTs by growing thick GaN on Si substrate was demonstrated using multilayer structure. The various multilayers grown were namely AlGaN/GaN, GaN/AlN and AlGaN/AlN and the bowing parameters of the AlGaN/GaN grown were studied. The bowing parameters were found to decrease as we move from pairs of AlGaN/GaN, GaN/AlN and AlGaN/AlN with increased Al concentration. This is due to the compression strain that originated from the difference in the lattice constant between GaN and the multilayer structure. By using the AlGaN/AlN multilayer structure, a total film thickness as high as 6μm was achieved without cracks. |
| キーワード(和) | Si基板 / GaN / AlGaN/GaN / MOCVD / 高電子移動度トランジスタ(HEMT) |
| キーワード(英) | Si substrate / GaN / AlGaN/GaN / MOCVD / HEMT |
| 資料番号 | ED2008-179,CPM2008-128,LQE2008-123 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/11/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の多層膜構造検討による厚膜化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on AlGaN/GaN HEMTs on Si(111) substrates with thick AlGaN/GaN, GaN/AlN and AlGaN/GaN multilayers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si基板 / Si substrate |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
| キーワード(4)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(5)（和/英） | 高電子移動度トランジスタ(HEMT) / HEMT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鈴江 隆晃 / Takaaki SUZUE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鈴木 暢倫 / Masanori SUZUKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野村 幸靖 / Yukiyasu NOMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi EGAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2008-11-28 |
| 資料番号 | ED2008-179,CPM2008-128,LQE2008-123 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 321 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |