| 講演名 | 2008-11-28 Pd/AlGaN/GaN HEMT型水素ガスセンサにおける水素検出メカニズムの検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 高橋 紀行, 中村 成志, 奥村 次徳, |
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| 抄録(和) | 100ppm以下の水素濃度検知を目指し,ゲート電極にパラジウム(Pd)を用いたAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)型水素ガスセンサの検討を行った。水素ガス濃度を変化させて評価した結果,1ppmの水素ガス濃度の検知に成功した。そのときの電流変化量は1.6mAであった。得られた結果から,空気中に微量に存在する水素濃度である0.5ppmも検知できることを示した。水素濃度100ppmの水素を導入・停止したときの応答特性から立ち上がり,回復時間を見積もった。その結果,立ち上がり,回復時間はそれぞれ,23秒,33秒であり,高速に水素ガスを検知できていることがわかった。 |
| 抄録(英) | The hydrogen sensing properties of AlGaN/GaN high electron mobility transistors with Pd gate electrodes are demonstrated for ppm-order detection. We found that the 1ppm hydrogen in air can be detected by the fabricated devices as a current variation of 1.6mA. By using the least-square fit to the experimental data, the reliable lower detection value of hydrogen concentration for the present device can be estimated to be about 0.5ppm, i.e., a natural hydrogen concentration in the air. In addition, the shorter turn-on and turn-off transient times have been estimated to be about 23 and 33 seconds at 110℃, respectively, in the case of the 100ppm hydrogen. |
| キーワード(和) | 水素ガスセンサ / AlGaN/GaN / 高電子移動度トランジスタ / 触媒作用 / ppm / パラジウム |
| キーワード(英) | hydrogen gas sensor / AlGaN/GaN / high electron mobility transistor / catalytic action / part par million / palladium |
| 資料番号 | ED2008-183,CPM2008-132,LQE2008-127 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/11/20(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Pd/AlGaN/GaN HEMT型水素ガスセンサにおける水素検出メカニズムの検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Detection mechanisms of Pd/AlGaN/GaN HEMT-based hydrogen gas sensors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 水素ガスセンサ / hydrogen gas sensor |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
| キーワード(3)（和/英） | 高電子移動度トランジスタ / high electron mobility transistor |
| キーワード(4)（和/英） | 触媒作用 / catalytic action |
| キーワード(5)（和/英） | ppm / part par million |
| キーワード(6)（和/英） | パラジウム / palladium |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高橋 紀行 / Noriyuki TAKAHASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻 Department of Electrorical and Electronic Engineering, Graduate School of Science & Engineering & Faculty of Engineering, Tokyo Metropolitan University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中村 成志 / Seiji NAKAMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻 Department of Electrorical and Electronic Engineering, Graduate School of Science & Engineering & Faculty of Engineering, Tokyo Metropolitan University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 奥村 次徳 / Tsugunori OKUMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻 Department of Electrorical and Electronic Engineering, Graduate School of Science & Engineering & Faculty of Engineering, Tokyo Metropolitan University |
| 発表年月日 | 2008-11-28 |
| 資料番号 | ED2008-183,CPM2008-132,LQE2008-127 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 321 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |