| 講演名 | 2008-11-28 MOVPE法によるAlGaN結晶成長の熱流体解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 平子 晃, 市川 晶也, 中村 健一, 大川 和宏, |
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| 抄録(和) | 我々はこれまでにGaNおよびAlNのMOVPE法における反応過程を熱化学流体計算で解析してきた。AlN成長では原料の急激な気相反応が成長を阻害することが判り、今回は同様の問題が考えられるAlGaN結晶に関して成長圧力が10～100kPaにおける反応過程を熱化学流体計算により解析した。100kPaでは原料であるトリメチルガリウム(TMGa)、トリメチルアルミニウム(TMAl)およびアンモニア(NH_3)が結晶成長に至る前に急激な気相反応を起こしていることが計算結果から判り、実際の実験においてもAlGaN成長が困難であった。一方、10kPaの減圧下では原料分子間の衝突頻度が減少して気相反応を抑制できている様子が計算から得られ、AlGaN成膜が容易である状況を解析できた。 |
| 抄録(英) | We have reported analysis of reaction pathways in metalorganic vapor-phase epitaxy (MOVPE) of GaN and AlN films by using computational fluid dynamics (CFD) simulations considering radiative heat transfer. AlGaN MOVPE growths are calculated at various reactor pressures, 10-100kPa, in this paper. In the case of 100kPa, it is found that parasitic reactions occur between TMGa, TMAl and NH_3. At low pressure of 10kPa, parasitic reactions suppress since the collision rate among the gaseous molecules are decreases in the lower pressure. |
| キーワード(和) | AlGaN / MOVPE法 / 流体計算 |
| キーワード(英) | AlGaN / MOVPE / Computational Fluid Dynamics |
| 資料番号 | ED2008-170,CPM2008-119,LQE2008-114 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/11/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPE法によるAlGaN結晶成長の熱流体解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of AlGaN Growth on MOVPE by Computational Simulation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | MOVPE法 / MOVPE |
| キーワード(3)（和/英） | 流体計算 / Computational Fluid Dynamics |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 平子 晃 / Akira HIRAKO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京理科大学理学部 Dept. of Applied Physics, Tokyo University of Science |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 市川 晶也 / Masaya ICHIKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京理科大学理学部 Dept. of Applied Physics, Tokyo University of Science |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中村 健一 / Ken-ichi NAKAMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京理科大学理学部 Dept. of Applied Physics, Tokyo University of Science |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大川 和宏 / Kazuhiro OHKAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京理科大学理学部 Dept. of Applied Physics, Tokyo University of Science |
| 発表年月日 | 2008-11-28 |
| 資料番号 | ED2008-170,CPM2008-119,LQE2008-114 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 321 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |