| 講演名 | 2008-11-28 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 多木 俊裕, 吉川 俊英, 金村 雅仁, 今西 健治, 牧山 剛三, 岡本 直哉, 常信 和清, 原 直紀, |
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| 抄録(和) | 新規3層キャップ構造とリセスゲート構造を用いることにより、高耐圧、高いドレイン電流密度、低い電流コラプスを満たすエンハンスメント・モード動作AlGaN/GaN HEMTを作製した.閾値電圧は+0.25V、破壊耐圧は336V、最大ドレイン電流密度は520mA/mmが得られた.3層キャップ構造はGaN/AlN/GaNにて構成されており、ピエゾ分極の効果によりシート抵抗を低減している.本研究のHEMTの増幅器としての出力は2.5GHzにおいて1チップで126Wに達し、良好な歪特性も得ることができた.今後は、本構造を短ゲート素子へ展開することにより、高出力ミリ波帯増幅器の実現を目指す. | |
| 抄録(英) | A novel piezoelectric-induced cap structure in an AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) was developed for enhancement-mode (E-mode) operation with high breakdown voltage (BV_| ) is +0.25V with a high BV_ | |
| キーワード(和) | 窒化ガリウム / 高電子移動度トランジスタ / エンハンスメントモード / ノーマリオフ / 耐圧 / リセス | |
| キーワード(英) | GaN / AlGaN / HEMT / FET / E-mode / normally-off / breakdown voltage / gate recess | |
| 資料番号 | ED2008-178,CPM2008-127,LQE2008-122 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/11/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An Over 100W AlGaN/GaN Enhancement-Mode HEMT Power Amplifier |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ガリウム / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 高電子移動度トランジスタ / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | エンハンスメントモード / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | ノーマリオフ / FET |
| キーワード(5)（和/英） | 耐圧 / E-mode |
| キーワード(6)（和/英） | リセス / normally-off |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 多木 俊裕 / Toshihiro OHKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通:富士通研究所 Fujitsu Ltd.:Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉川 俊英 / Toshihide KIKKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富士通:富士通研究所 Fujitsu Ltd.:Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 金村 雅仁 / Masahito KANAMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士通:富士通研究所 Fujitsu Ltd.:Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 今西 健治 / Kenji IMANISHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富士通:富士通研究所 Fujitsu Ltd.:Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 牧山 剛三 / Kozo MAKIYAMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富士通:富士通研究所 Fujitsu Ltd.:Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 岡本 直哉 / Naoya OKAMOTO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 富士通:富士通研究所 Fujitsu Ltd.:Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 常信 和清 / Kazukiyo JOSHIN |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 富士通:富士通研究所 Fujitsu Ltd.:Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 原 直紀 / Naoki HARA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 富士通:富士通研究所 Fujitsu Ltd.:Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 発表年月日 | 2008-11-28 |
| 資料番号 | ED2008-178,CPM2008-127,LQE2008-122 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 321 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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