| 講演名 | 2008-11-28 非c面(Al)InGaN混晶基板上InGaN量子井戸の偏光特性の理論予測(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 山口 敦史, |
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| 抄録(和) | 半極性・無極性面GaN基板上InGaN量子井戸では、c軸に垂直な方向の偏光が強く発光するため、端面出射型レーザを作製する際にm面などのへき開しやすい面を共振器ミラーに用いることができないという不都合が生じている。そこで、今回、偏光制御の可能性を探るため、AlInGaN混晶材料を基板に用いた場合の活性層InGaN量子井戸の偏光特性を理論予測した。その結果、基板の面方位・混晶組成、活性層の量子井戸幅などを制御することによって、m面などを共振器ミラーに用いるのに都合の良い偏光特性が実現可能であることがわかった。 |
| 抄録(英) | Polarization properties in InGaN quantum wells on non-C AlInGaN alloy substrates are theoretically investigated. It is shown that the polarization direction of quantum-well emission switches depending on the substrate alloy composition, substrate orientation and quantum well width, and that these polarization switches are caused by the strain anisotropy and quantum confinement effects in the quantum wells. On the basis of the calculation results, it is predicted that the utilization of InGaN or AlInGaN alloy substrates is beneficial to obtain desirable polarization properties for the formation of cleaved-facet cavity mirrors in laser diodes on non-C substrates. |
| キーワード(和) | 光学的異方性 / 偏光特性 / InGaN量子井戸 / 混晶基板 / 価電子帯 / 歪み / 理論計算 |
| キーワード(英) | optical anisotropy / polarization properties / InGaN quantum wells / alloy substrates / valence band / strain |
| 資料番号 | ED2008-172,CPM2008-121,LQE2008-116 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/11/20(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 非c面(Al)InGaN混晶基板上InGaN量子井戸の偏光特性の理論予測(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Theoretical Calculations of Polarization Properties in InGaN Quantum Wells on Non-C (Al)InGaN Alloy Substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光学的異方性 / optical anisotropy |
| キーワード(2)（和/英） | 偏光特性 / polarization properties |
| キーワード(3)（和/英） | InGaN量子井戸 / InGaN quantum wells |
| キーワード(4)（和/英） | 混晶基板 / alloy substrates |
| キーワード(5)（和/英） | 価電子帯 / valence band |
| キーワード(6)（和/英） | 歪み / strain |
| キーワード(7)（和/英） | 理論計算 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山口 敦史 / A. Atsushi YAMAGUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学ものづくり研究所 Research Laboratory for Integrated Technological Systems, Kanazawa Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2008-11-28 |
| 資料番号 | ED2008-172,CPM2008-121,LQE2008-116 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 321 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |