| 講演名 | 2008-11-28 HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション : HfO_2/AlGaN界面の影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 林 慶寿, 杉浦 俊, 岸本 茂, 水谷 孝, |
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| 抄録(和) | HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETのシミュレーションを行い、デバイスの動作機構の解明及び界面トラップのデバイス特性への影響の評価を行った。V_ |
| 抄録(英) | Two-dimensional device simulations of HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETs have been carried out to investigate the operation mechanism and the effects of interface traps on the device characteristics. First, devices without the traps were studied. Although the transconductance increases with increase in the gate voltage for small V_ |
| キーワード(和) | HfO_2/AlGaN/GaN MOSFET / デバイスシミュレーション / 界面トラップ |
| キーワード(英) | HfO_2/AlGaN/GaN MOSFET / device simulation / interface trap |
| 資料番号 | ED2008-175,CPM2008-124,LQE2008-119 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/11/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション : HfO_2/AlGaN界面の影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Device simulation of HfO_2/AlGaN/GaN MOSFET : effects of HfO_2/AlGaN interface |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | HfO_2/AlGaN/GaN MOSFET / HfO_2/AlGaN/GaN MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | デバイスシミュレーション / device simulation |
| キーワード(3)（和/英） | 界面トラップ / interface trap |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 林 慶寿 / Yoshihisa HAYASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 杉浦 俊 / Shun SUGIURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岸本 茂 / Shigeru KISHIMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 水谷 孝 / Takashi MIZUTANI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2008-11-28 |
| 資料番号 | ED2008-175,CPM2008-124,LQE2008-119 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 321 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |