| 講演名 | 2008-11-28 AlGaN/GaNヘテロ構造における曲げ変形と2DEGのシミュレーション(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 束原 肇, 中村 成志, 奥村 次徳, |
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| 抄録(和) | AlGaN/GaNヘテロ構造にMEMS技術(マイクロオリガミ)を適用し,界面に生じる二次元電子ガス(2DEG)の影響を調べた。本研究ではこの技術の基本的な構造を用い,有限要素法および有限差分法を用いることで以下の解析を行った。1.AlGaN/GaNヘテロ構造における格子歪みと曲げ変形,2.曲げ変形に伴うピエゾ分極の変化,3ピエゾ分極の変化に伴う2DEGの変化。解析の結果,Al_<0.2>Ga_<0.8>Nの場合,2DEGが約37%減少することがわかった。この結果から,マイクロオリガミ技術を用いることで,従来の歪み技術の限界を超えて2DEGを制御できる可能性があることを示した。 |
| 抄録(英) | We have examined the effect on a two-dimensional electron gas (2DEG) in AlGaN/GaN hetero structures by using the "micro-origami" method. In this study, lattice strain, bending deformation, and variations of piezoelectric charge as well as 2DEG density were analyzed for a basic cantilever of the bimetal structure. These simulations were performed by using the finite element method and the finite difference method. As a result, the 2DEG density at the Al_<0.2>Ga_<0.8>N/GaN hetero-interface was found to decrease approximately 37%. The result suggests that the 2DEG density is controllable in the micro-origami type of MEMS structures. |
| キーワード(和) | AlGaN/GaN / ピエゾ分極 / 2DEG / 格子歪み / MEMS / マイクロオリガミ技術 |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN / Piezoelectric charges / 2DEG / lattice strain / MEMS / micro-origami |
| 資料番号 | ED2008-182,CPM2008-131,LQE2008-126 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/11/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaN/GaNヘテロ構造における曲げ変形と2DEGのシミュレーション(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Simulation of Bending Deformation and Two-dimensional Electron Gas Density in AlGaN/GaN Hetero-Structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ピエゾ分極 / Piezoelectric charges |
| キーワード(3)（和/英） | 2DEG / 2DEG |
| キーワード(4)（和/英） | 格子歪み / lattice strain |
| キーワード(5)（和/英） | MEMS / MEMS |
| キーワード(6)（和/英） | マイクロオリガミ技術 / micro-origami |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 束原 肇 / Hajime TSUKAHARA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 首都大学東京理工学研究科電気電子工学専攻 Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Metropolitan University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中村 成志 / Seiji NAKAMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 首都大東京 / |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 奥村 次徳 / Tsugunori OKUMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 首都大東京 |
| 発表年月日 | 2008-11-28 |
| 資料番号 | ED2008-182,CPM2008-131,LQE2008-126 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 321 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |