| 講演名 | 2008-11-28 ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 合田 祐司, 林 慶寿, 大野 雄高, 岸本 茂, 水谷 孝, |
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| 抄録(和) | ALDで成膜したHfO_2をゲート酸化膜とするAlGaN/GaN MOSFETを作製し、特性評価を行った。HfO_2の成膜温度は低い程ゲートリーク電流が抑えられていたが、g_mの最大値は成膜温度250℃で得られた。閾値がHfO_2膜厚に対して線形に依存することから、HfO_2/AlGaN界面には正の電荷を有する準位が多数存在すると考えられる。HfO_2膜を酸素中でアニールすることで、この界面準位が低減された。 |
| 抄録(英) | The AlGaN/GaN MOSFETs with HfO_2 as a gate insulator deposited by ALD has been fabricated and characterized. The lower the deposition temperature was, the smaller the gate leak current was. On the other hand, g_m max was obtained for the device with HfO_2 deposited at 250 degC. The threshold voltage was linearly dependent on the thickness of the HfO_2. This means that trapped charge at HfO_2/AlGaN interface was responsible for this threshold voltage change. It has been shown that the interface states between HfO_2 and AlGaN were decreased by annealing in O_2 atmosphere. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN / MOSFET / HfO_2 / ALD |
| 資料番号 | ED2008-176,CPM2008-125,LQE2008-120 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2008/11/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and Characterization of AlGaN/GaN MOSFETs with HfO_2 Gate Insulator deposited by ALD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / AlGaN/GaN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 合田 祐司 / Yuji GODA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Quantum Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 林 慶寿 / Yoshihisa HAYASHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Quantum Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大野 雄高 / Yutaka OHNO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Quantum Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岸本 茂 / Shigeru KISHIMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Quantum Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 水谷 孝 / Takashi MIZUTANI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Quantum Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2008-11-28 |
| 資料番号 | ED2008-176,CPM2008-125,LQE2008-120 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 321 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |