エレクトロニクス-レーザ・量子エレクトロニクス(開催日:2009/11/12)

タイトル/著者/発表日/資料番号
GaN系表面ナノ構造光検出器(窒化物及び混晶半導体デバイス)

張 晶,  直井 美貴,  酒井 士郎,  深野 敦之,  田中 覚,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-146,CPM2009-120,LQE2009-125
周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)

藤田 浩平,  奥浦 一輝,  三宅 秀人,  平松 和政,  乗松 潤,  平山 秀樹,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-147,CPM2009-121,LQE2009-126
4inch×11枚大型MOVPE装置(UR25K)を用いた窒化ガリウムの高速成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)

矢野 良樹,  池永 和正,  徳永 裕樹,  山本 淳,  田渕 俊也,  内山 康右,  山口 晃,  福田 靖,  生方 映徳,  原田 康博,  伴 雄三郎,  松本 功,  山崎 利明,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-148,CPM2009-122,LQE2009-127
4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)

市村 幹也,  三好 実人,  田中 光浩,  江川 孝志,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-149,CPM2009-123,LQE2009-128
MgドープGaN表面特性のアニールによる変化(窒化物及び混晶半導体デバイス)

小川 恵理,  橋詰 保,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-150,CPM2009-124,LQE2009-129
ステップストレス測定によるAlGaN/GaN HFET電流コラプス解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)

黒田 健太郎,  井川 裕介,  光山 健太,  敖 金平,  大野 泰夫,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-151,CPM2009-125,LQE2009-130
高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)

菅原 克也,  久保 俊晴,  武富 浩幸,  三宅 秀人,  平松 和政,  橋詰 保,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-152,CPM2009-126,LQE2009-131
Siイオン注入した窒化物半導体上のAlフリーオーミック電極(窒化物及び混晶半導体デバイス)

今井 章文,  南條 拓真,  吹田 宗義,  阿部 雄次,  柳生 栄治,  蔵田 哲之,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-153,CPM2009-127,LQE2009-132
AlGaN/GaNヘテロ接合への低抵抗V/Al/Mo/Auオーミック電極の形成(窒化物及び混晶半導体デバイス)

渡邊 史直,  矢船 憲成,  永森 基,  近岡 大成,  作野 圭一,  葛原 正明,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-154,CPM2009-128,LQE2009-133
Si基板上AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)

鈴江 隆晃,  セルバラージ ローレンス,  江川 孝志,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-155,CPM2009-129,LQE2009-134
大電流動作GaN MOSFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)

野村 剛彦,  神林 宏,  佐藤 義浩,  新山 勇樹,  加藤 禎宏,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-156,CPM2009-130,LQE2009-135
Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)

星 真一,  伊藤 正紀,  丸井 俊治,  大来 英之,  森野 芳昭,  玉井 功,  戸田 典彦,  関 昇平,  江川 孝志,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-157,CPM2009-131,LQE2009-136
マイクロ波無線ユビキタス電源用GaNショットキーダイオードの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)

高橋 健介,  敖 金平,  篠原 真毅,  丹羽 直幹,  藤原 暉雄,  大野 泰夫,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-158,CPM2009-132,LQE2009-137
60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)

渡邊 一世,  遠藤 聡,  山下 良美,  広瀬 信光,  三村 高志,  松井 敏明,  

[発表日]2009/11/12
[資料番号]ED2009-159,CPM2009-133,LQE2009-138
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[発表日]2009/11/12
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