| 講演名 | 2009-11-20 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス) 藤田 浩平, 奥浦 一輝, 三宅 秀人, 平松 和政, 乗松 潤, 平山 秀樹, |
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| 抄録(和) | 減圧HVPE法において周期溝加工を施したAlN/サファイア基板を用いることによりクラックフリーのAlN厚膜を成長できる。本研究では、溝構造が異なる基板上にAlN成長をHVPE法で行い成長形態の観察を行った。溝幅を広くすることによりテラスからの成長が合体するまでの高さが高くなり、膜厚30μmのクラックフリーAlNが得られた。溝深さを浅くすることによりボイドの形成位置が高くなり、ボイドを形成するには一定以上の溝深さが必要なことがわかった。また、周期溝による横方向成長によりAlNの結晶性が改善した。 |
| 抄録(英) | We have demonstrated that crack-free thick AlN layer be grown by Low-pressure HVPE using period trench-patterned AlN/Sapphire substrate. In this study, AlN growth by HVPE on substrates with varied trench structure was investigated, and we observed growth configuration. The height that growth from terrace are coalescenced heighten by widening the groove width, and a crack-free AlN of 30μm thickness was obtained. The height that voids are formed heighten by shallowing the groove depth, and it was found that above a certain depth is necessary to form voids. As a result, the crystalline quality of AlN was improved by epitaxial lateral overgrowth process on period trench-patterned substrate. |
| キーワード(和) | HVPE / AlN / 周期溝 / クラックフリー |
| キーワード(英) | HVPE / AlN / trench-patterned / crack-free |
| 資料番号 | ED2009-147,CPM2009-121,LQE2009-126 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2009/11/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AlN growth on period trench-patterned AlN/sapphire by Low-pressure HVPE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | HVPE / HVPE |
| キーワード(2)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(3)（和/英） | 周期溝 / trench-patterned |
| キーワード(4)（和/英） | クラックフリー / crack-free |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藤田 浩平 / Kohei FUJITA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Faculty of Engineering, Mie University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 奥浦 一輝 / Kazuteru OKUURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Faculty of Engineering, Mie University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto MIYAKE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Faculty of Engineering, Mie University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / Kazumasa HIRAMATSU |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三重大学大学院工学研究科 Faculty of Engineering, Mie University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 乗松 潤 / Jyun NORIMATSU |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 理研 RIKEN |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 平山 秀樹 / Hideki HIRAYAMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 理研 RIKEN |
| 発表年月日 | 2009-11-20 |
| 資料番号 | ED2009-147,CPM2009-121,LQE2009-126 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |