| 講演名 | 2009-11-20 ステップストレス測定によるAlGaN/GaN HFET電流コラプス解析(窒化物及び混晶半導体デバイス) 黒田 健太郎, 井川 裕介, 光山 健太, 敖 金平, 大野 泰夫, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | AlGaN/GaN HFETの電流コラプスは、ドレインバイアスによるデバイス内での局所的な負帯電が原因とされている。本研究ではストレス電圧を徐々に変化させて測定を行うステップストレス測定法を用いて、ストレス印加による負帯電の過程をデバイス特性を通して観察した。測定より得られたI_D-V_D特性より電流コラプスがドレイン側での負帯電あることを確認し、I_D-V_G特性より負帯電がバルク内であるとの予測を得た。さらに過渡応答特性を調べることで、負帯電がバルク内トラップによる現象であることの証明を試みた。 |
| 抄録(英) | Current Collapse of AlGaN/GaN HFET is assumed that a negative charge in the device by Drain bias is a cause. The process of the negative charge by the stress impression was observed by using the step stress measurement in the present study through the measurement of the device characteristics. It was confirmed that current Collapse was a drain side from the I_D-V_D characteristics obtained from the measurement, and did the forecast where negative charge is in the bulk from the I_D-V_G characteristics. In addition, proof where the negative charge was in the bulk the transition response characteristic was examined was tried. |
| キーワード(和) | 電流コラプス / AlGaN/GaN HFET / ステップストレス / ドレイン電流 |
| キーワード(英) | Current Collapse / AlGaN/GaN HFET / Step Stress / Drain Current |
| 資料番号 | ED2009-151,CPM2009-125,LQE2009-130 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
|---|---|
| 開催期間 | 2009/11/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ステップストレス測定によるAlGaN/GaN HFET電流コラプス解析(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of AlGaN/GaN HFET Current Collapse by Step Stress Measurement |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電流コラプス / Current Collapse |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN/GaN HFET / AlGaN/GaN HFET |
| キーワード(3)（和/英） | ステップストレス / Step Stress |
| キーワード(4)（和/英） | ドレイン電流 / Drain Current |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 黒田 健太郎 / Kentaro Kuroda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部 Institute of Technology and Science, the University of Tokushima |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井川 裕介 / Yusuke Ikawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部 Institute of Technology and Science, the University of Tokushima |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 光山 健太 / Kenta Mitsuyama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部 Institute of Technology and Science, the University of Tokushima |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 敖 金平 / Jing-Ping Ao |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部 Institute of Technology and Science, the University of Tokushima |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 大野 泰夫 / Yasuo Ohno |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部 Institute of Technology and Science, the University of Tokushima |
| 発表年月日 | 2009-11-20 |
| 資料番号 | ED2009-151,CPM2009-125,LQE2009-130 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |