| 講演名 | 2009-11-20 大電流動作GaN MOSFET(窒化物及び混晶半導体デバイス) 野村 剛彦, 神林 宏, 佐藤 義浩, 新山 勇樹, 加藤 禎宏, |
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| 抄録(和) | Si基板上に形成した、AlGaN/GaNヘテロ接合をゲート・ドレイン間に用いたGaN系MOSFETの大電流動作について報告する。この構造では、MOSゲートによるノーマリオフ動作と、AlGaN/GaNヘテロ接合利用によるゲート・ドレイン間の抵抗低減が可能である。試作した素子のしきい値は2.8V、オン抵抗は16.5mΩcm^2、耐圧は500V以上であり、低オン抵抗と高耐圧が両立したノーマリオフ動作が実現できた。また、チャネル幅340mmの素子において、70A以上の最大ドレイン電流が得られた。以上の結果は、本構造がパワーエレクトロニクス用素子として有望であることを示している。 |
| 抄録(英) | A large current operation of GaN-based MOSFET on Si substrate is reported. To realize both low on-resistance and high breakdown voltage with a normally-off operation, AlGaN/GaN hetero-structure RESURF and MOS gate structure were incorporated. Threshold voltage of 2.8V, on resistance of 16.5mΩcm^2, and breakdown voltage of 500V were achieved in a small size device with the channel length of 200μm. A large size device with the channel width of 340mm was fabricated and more than 70A of maximum drain current was achieved. |
| キーワード(和) | GaN / MOSFET / ノーマリオフ / パワーデバイス / 大電流動作 |
| キーワード(英) | GaN / MOSFET / normally-off / power devices / large current operation |
| 資料番号 | ED2009-156,CPM2009-130,LQE2009-135 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2009/11/12(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 大電流動作GaN MOSFET(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Large Current operation of GaN MOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | ノーマリオフ / normally-off |
| キーワード(4)（和/英） | パワーデバイス / power devices |
| キーワード(5)（和/英） | 大電流動作 / large current operation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野村 剛彦 / Takehiko NOMURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 次世代パワーデバイス技術研究組合 Advanced Power Device Research Association |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 神林 宏 / Hiroshi KAMBAYASHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 次世代パワーデバイス技術研究組合 Advanced Power Device Research Association |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐藤 義浩 / Yoshihiro SATOH |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 次世代パワーデバイス技術研究組合 Advanced Power Device Research Association |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 新山 勇樹 / Yuki NIIYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 次世代パワーデバイス技術研究組合 Advanced Power Device Research Association |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 加藤 禎宏 / Sadahiro KATO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 次世代パワーデバイス技術研究組合 Advanced Power Device Research Association |
| 発表年月日 | 2009-11-20 |
| 資料番号 | ED2009-156,CPM2009-130,LQE2009-135 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |