| 講演名 | 2009-11-20 AlGaN/GaNヘテロ接合への低抵抗V/Al/Mo/Auオーミック電極の形成(窒化物及び混晶半導体デバイス) 渡邊 史直, 矢船 憲成, 永森 基, 近岡 大成, 作野 圭一, 葛原 正明, |
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| 抄録(和) | AlGaN/GaNヘテロ接合へのV/Al/Mo/Auオーミック電極のアニール後の電気的特性について調べた。V/Al/Mo/Au電極は、550℃のアニールによって1.6x10^<-6>Ωcm^2の低接触抵抗率を示した。AlGaN/GaN HEMTのオーミック電極にV/Al/Mo/Au電極を適用した結果、従来のTi/Al/Mo/Au電極より約100V高いオフ耐圧と優れた表面モホロジーが得られた。 |
| 抄録(英) | We have investigated electrical characteristics of V/Al/Mo/Au ohmic contacts on AlGaN/GaN HFETs. It was found that a minimum ohmic contact resistivity of 1.6x10^<-6>Ωcm^2 was achieved after annealing at 550℃. Cross-sectional TEM images exhibited distinct difference in the extent of metal reaction between V/Al/Mo/Au and Ti/Al/Mo/Au. In addition to lower contact resistivities, low-temperature annealed V/Al/Mo/Au ohmic contacts exhibited superior characteristics, such as enhanced breakdown voltages by about 100V and smooth surface morphology, as compared to Ti/Al/Mo/Au ohmic contacts annealed at an optimum annealing temperature. |
| キーワード(和) | オーミック / チタン / バナジウム / 耐圧 / AlGaN/GaN / HEMT |
| キーワード(英) | ohmic / vanadium / titanium / breakdown / AlGaN/GaN / HEMT |
| 資料番号 | ED2009-154,CPM2009-128,LQE2009-133 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2009/11/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaN/GaNヘテロ接合への低抵抗V/Al/Mo/Auオーミック電極の形成(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low resistivity V/Al/Mo/Au ohmic contacts on AlGaN/GaN heterostructure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | オーミック / ohmic |
| キーワード(2)（和/英） | チタン / vanadium |
| キーワード(3)（和/英） | バナジウム / titanium |
| キーワード(4)（和/英） | 耐圧 / breakdown |
| キーワード(5)（和/英） | AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
| キーワード(6)（和/英） | HEMT / HEMT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡邊 史直 / Fuminao Watanabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福井大学工学研究科電気・電子工学専攻 Graduate School of Engineering, University of Fukui |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 矢船 憲成 / Norimasa Yafune |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 財団法人金属系材料研究開発センター:シャープ株式会社 Japan Research and Development Center for Metal:Sharp Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 永森 基 / Motoi Nagamori |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 福井大学工学研究科電気・電子工学専攻 Graduate School of Engineering, University of Fukui |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 近岡 大成 / Hironari Chikaoka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 福井大学工学研究科電気・電子工学専攻 Graduate School of Engineering, University of Fukui |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 作野 圭一 / Keiichi Sakuno |
| 第 5 著者 所属（和/英） | シャープ株式会社 Sharp Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 葛原 正明 / Masaaki Kuzuhara |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 福井大学工学研究科電気・電子工学専攻 Graduate School of Engineering, University of Fukui |
| 発表年月日 | 2009-11-20 |
| 資料番号 | ED2009-154,CPM2009-128,LQE2009-133 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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