| 講演名 | 2009-11-19 GaN系表面ナノ構造光検出器(窒化物及び混晶半導体デバイス) 張 晶, 直井 美貴, 酒井 士郎, 深野 敦之, 田中 覚, |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Conventional photodetector can detect intensity of incident light by voltage or current, but it is not intensive to the change of incident angle or wavelength. In this work, we demonstrate the fabrication method of a GaN-based nanostructure photodetector using nanoimprint lithography (NIL). The nanopattern is regular triangles consisting of columns, whose diameter and pitch are 150 and 300nm, respectively. The photovoltage between p- and n-layers of this type of photodetector showed 6 or 12 periods when the incident illumination angles were changed on the surface or back side. Using the characteristics, this type of photodetector can find out the change of incidence angle or the change of wavelength of incident light. We demonstrate the principle of this type of photodetector using effective refractive index of the nanocolumn and air on the surface. At last possible applications in future are given. |
| キーワード(和) | GaN / ナノ構造 / 光検出器 / ナノインプリントリソグラフィー |
| キーワード(英) | GaN / Nanostructure / Photodetector / Nanoimprint Lithography |
| 資料番号 | ED2009-146,CPM2009-120,LQE2009-125 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2009/11/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | GaN系表面ナノ構造光検出器(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GaN Photodetector with Nanostructure on Surface |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ナノ構造 / Nanostructure |
| キーワード(3)（和/英） | 光検出器 / Photodetector |
| キーワード(4)（和/英） | ナノインプリントリソグラフィー / Nanoimprint Lithography |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 張 晶 / Jing ZHANG |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 徳島大学電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, The University of Tokushima |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 直井 美貴 / Yoshiki NAOI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 徳島大学電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, The University of Tokushima |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 酒井 士郎 / Shiro SAKAI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 徳島大学電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, The University of Tokushima |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 深野 敦之 / Atsuyuki FUKANO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | SCIVAX株式会社 SCIVAX Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 田中 覚 / Satoru TANAKA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | SCIVAX株式会社 SCIVAX Corporation |
| 発表年月日 | 2009-11-19 |
| 資料番号 | ED2009-146,CPM2009-120,LQE2009-125 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |