| 講演名 | 2009-11-20 4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス) 市村 幹也, 三好 実人, 田中 光浩, 江川 孝志, |
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| 抄録(和) | 格子長とバンドギャップの独立制御が可能な四元混晶を障壁層とするInAlGaN/GaN HEMT構造のMOCVD成長および特性評価を実施した。実験の結果、障壁層組成および障壁層結晶品質が電気伝導特性に強く影響することを把握した。最終的に、2inch径サファイア基板上でシートキャリア密度2.3×10^<13>cm^<-2>,移動度1300cm^2V^<-1>s^<-1>,シート抵抗210Ωsq^<-1>、4inch径Si基板上でシートキャリア密度1.8×10^<13>cm^<-2>,移動度1270cm^2V^<-1>s^<-1>,シート抵抗270Ωsq^<-1>と良好な電気伝道特性を持つサンプルを得るに至った。またSi基板上においては、4inch基板全面で良好な面内分布が得られている事も確認した。 |
| 抄録(英) | MOCVD growth and material characterization of quaternary InAlGaN/GaN HEMT structures, which allow for various combinations of lattice lengths and bandgaps, were carried out. As a result, it was confirmed that the 2DEG properties of InAlGaN/GaN heterostructures strongly depend on their composition and crystal quality of the InAlGaN barrier layers. A high 2DEG density of 2.3×10^<13>cm^<-2> and a low sheet resistance of 210Ωsq^<-1> with a 2DEG mobility of 1300cm^2V^<-1>s^<-1> were observed for a sample grown on 2-inch sapphire. Moreover, a 2DEG density of 1.8×10^<13>cm^<-2>, a sheet resistance of 270Ωsq^<-1> and a 2DEG mobility of 1270cm^2V^<-1>s^<-1> were obtained for a sample grown on 4-inch silicon substrate with a good in-wafer uniformity. |
| キーワード(和) | InAlGaN / InAlGaN/GaN / 高電子移動度トランジスタ / Si基板 / MOCVD |
| キーワード(英) | InAlGaN / InAlGaN/GaN / HEMT / Si substrate / MOCVD |
| 資料番号 | ED2009-149,CPM2009-123,LQE2009-128 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2009/11/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of quaternary InAlGaN/GaN HEMT epi-structures fabricated on 4inch diameter Si substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InAlGaN / InAlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | InAlGaN/GaN / InAlGaN/GaN |
| キーワード(3)（和/英） | 高電子移動度トランジスタ / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | Si基板 / Si substrate |
| キーワード(5)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 市村 幹也 / Mikiya ICHIMURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本ガイシ株式会社研究開発本部 NGK INSULATORS, LTD. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三好 実人 / Makoto MIYOSHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本ガイシ株式会社研究開発本部 NGK INSULATORS, LTD. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田中 光浩 / Mitsuhiro TANAKA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本ガイシ株式会社研究開発本部 NGK INSULATORS, LTD. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi Egawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2009-11-20 |
| 資料番号 | ED2009-149,CPM2009-123,LQE2009-128 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |