| 講演名 | 2009-11-20 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス) 菅原 克也, 久保 俊晴, 武富 浩幸, 三宅 秀人, 平松 和政, 橋詰 保, |
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| 抄録(和) | Al組成25%から60%のAlGaNの表面特性と深い準位の評価を行った。AlGaN表面に形成したショットキー障壁はAl組成の増加とともに大きくなることが分かった。数秒から数十秒の長時間測定窓を用いたDLTS評価によって、Al_<0.25>Ga_<0.75>NとAl_<0.37>Ga_<0.63>Nにおいて、それぞれ活性化エネルギー1.0eV、1.3eVの準位を検出した。両者の密度は1x10^<16>cm^<-3>以上であり、比較的高密度の準位の存在が確認された。さらに、光容量測定から支配的な準位のエネルギー位置と密度を見積もった。その結果はDLTS評価結果とよく一致しており、数十秒の極めて長い測定時定数を用いた場合でも、DLTS評価が正しく行われていることが確認された。また、450Kにおける長時間の容量過渡応答評価により、Al組成60%のAlGaNには活性化エネルギー1.3eV以上の準位が存在することが示された。 |
| 抄録(英) | We have investigated Schottky interface properties and deep levels of Al_xGa_<1-x>N with a wide range of Al composition (0.25 |
| キーワード(和) | AlGaN / ショットキー障壁 / 深い準位 / DLTS / 光容量法 |
| キーワード(英) | AlGaN / Schottky barrier / Deep level / DLTS / Photo-capacitance |
| 資料番号 | ED2009-152,CPM2009-126,LQE2009-131 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2009/11/12(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Surface properties and deep electronic levels of AlGaN with high Al compositions |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | ショットキー障壁 / Schottky barrier |
| キーワード(3)（和/英） | 深い準位 / Deep level |
| キーワード(4)（和/英） | DLTS / DLTS |
| キーワード(5)（和/英） | 光容量法 / Photo-capacitance |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 菅原 克也 / Katsuya SUGAWARA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 久保 俊晴 / Toshiharu KUBO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 武富 浩幸 / Hiroyuki TAKETOMI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部 Mie University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto MIYAKE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部 Mie University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / Kazumasa HIRAMATSU |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部 Mie University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 橋詰 保 / Tamotsu HASHIZUME |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2009-11-20 |
| 資料番号 | ED2009-152,CPM2009-126,LQE2009-131 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |