| 講演名 | 2009-11-20 4inch×11枚大型MOVPE装置(UR25K)を用いた窒化ガリウムの高速成長(窒化物及び混晶半導体デバイス) 矢野 良樹, 池永 和正, 徳永 裕樹, 山本 淳, 田渕 俊也, 内山 康右, 山口 晃, 福田 靖, 生方 映徳, 原田 康博, 伴 雄三郎, 松本 功, 山崎 利明, |
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| 抄録(和) | 我々は4インチ基板11枚を1バッチで処理できる大型MOVPE装置(UR25K)を開発した。GaN系デバイスの成長時間の短縮を目的として、UR25Kを使用して大気圧下で10μm/hの速度でGaNを成長した。X線回折ロッキングカーブの半値幅は(0002)方向で200arcsec、(10-12)方向で260arcsecとなった。残留炭素濃度は2.5×10^<16>cm^<-3>であった。また、n-GaNを3.6μm/hで成長したLEDサンプルと、10μm/hで成長したLEDサンプルを作製した。それぞれのEL特性を調べたところ、ほぼ同じレベルであった。以上の結果から、UR25KにおけるGaNの高速成長がGaN系デバイスの成長時間短縮に貢献できる可能性があると考えられる。 |
| 抄録(英) | We have developed a multiwafer MOVPE reactor with a capacity of eleven 4 inch wafers(UR25K). In order to shorten the growth time of GaN-based devices, we have grown GaN at 10μm/h under atmospheric pressure using UR25K. The full width at half maximum values of the X-ray diffraction rocking curve for the (0002) and (10-12) directions were 200 arcsec and 260 arcsec, respectively. The residual carbon concentration was 2.5×10^<16>cm^<-3>. We have grown two samples of simple blue-LED structure. The n-GaN growth rates of the samples were 3.6μm/h and 10μm/h, respectively. Electroluminescence characteristics of the two were almost the same level. These results indicate that the high rate growth of GaN using UR25K can contribute to shortening the growth time of GaN-based devices. |
| キーワード(和) | MOVPE / 大型装置 / 高速成長 / GaN / LED / 気相反応 |
| キーワード(英) | MOVPE / multiwafer MOVPE reactor / high rate growth / GaN / LED / parasitic reaction |
| 資料番号 | ED2009-148,CPM2009-122,LQE2009-127 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2009/11/12(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 4inch×11枚大型MOVPE装置(UR25K)を用いた窒化ガリウムの高速成長(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High rate growth of GaN using 4 inch×11 multi wafer MOVPE reactor (UR25K) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | 大型装置 / multiwafer MOVPE reactor |
| キーワード(3)（和/英） | 高速成長 / high rate growth |
| キーワード(4)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(5)（和/英） | LED / LED |
| キーワード(6)（和/英） | 気相反応 / parasitic reaction |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 矢野 良樹 / Yoshiki YANO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社電子機材事業本部 Electronics Group, TAIYO NIPPON SANSO Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 池永 和正 / Kazutada IKENAGA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社電子機材事業本部 Electronics Group, TAIYO NIPPON SANSO Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 徳永 裕樹 / Hiroki TOKUNAGA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社電子機材事業本部 Electronics Group, TAIYO NIPPON SANSO Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山本 淳 / Jun YAMAMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大陽日酸イー・エム・シー株式会社 TN EMC LTD. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 田渕 俊也 / Toshiya TABUCHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社電子機材事業本部 Electronics Group, TAIYO NIPPON SANSO Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 内山 康右 / Kousuke UCHIYAMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 大陽日酸イー・エム・シー株式会社 TN EMC LTD. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 山口 晃 / Akira YAMAGUCHI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社電子機材事業本部 Electronics Group, TAIYO NIPPON SANSO Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 福田 靖 / Yasushi FUKUDA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社電子機材事業本部 Electronics Group, TAIYO NIPPON SANSO Corporation |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 生方 映徳 / Akinori UBUKATA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社電子機材事業本部 Electronics Group, TAIYO NIPPON SANSO Corporation |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 原田 康博 / Yasuhiro HARADA |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 大陽日酸イー・エム・シー株式会社 TN EMC LTD. |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 伴 雄三郎 / Yuzaburo BAN |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 大陽日酸イー・エム・シー株式会社 TN EMC LTD. |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 松本 功 / Koh MATSUMOTO |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 大陽日酸イー・エム・シー株式会社 TN EMC LTD. |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 山崎 利明 / Toshiaki YAMAZAKI |
| 第 13 著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社電子機材事業本部 Electronics Group, TAIYO NIPPON SANSO Corporation |
| 発表年月日 | 2009-11-20 |
| 資料番号 | ED2009-148,CPM2009-122,LQE2009-127 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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