| 講演名 | 2009-11-20 Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス) 星 真一, 伊藤 正紀, 丸井 俊治, 大来 英之, 森野 芳昭, 玉井 功, 戸田 典彦, 関 昇平, 江川 孝志, |
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| 抄録(和) | シリコン基板上GaN-HEMTを用いた高周波高出力電力増幅デバイスについて検討した。デバイスの高周波化を妨げるGaNエピタキシャル層とSi基板の界面(エピ基板界面)の状態を水銀プローブC-V測定によって評価できることを示す。またデバイスの熱抵抗低減を目的に、Si基板を60μm薄層化した結果、2GHz帯デバイスでは炭化シリコン基板上GaN-HEMTに匹敵する、出力電力48.8dBm(75.6W)、電力付加効率54.4%、熱抵抗2.76℃/Wを得た。また5GHz帯における評価についても、十分に適応可能な7.58W/mmの出力電力密度と47.14dBm(51.8W)の出力電力特性を得た。 |
| 抄録(英) | We have fabricated high RF power output devices using GaN-HEMT on Si substrate, that can be screened out by Hg probe C-V measurement about epi/sub interface issue in order to apply to RF power output applications. Then we have obtained the good RF power output characteristics of 48.8dBm (75.6W) with power added efficiency of 54.4% and thermal resistance of 2.76℃/W at 2GHz by 60μm-thick Si substrate. These characteristics are almost compatible with those of GaN-HEMT on SiC devices we fabricated at the same time. We also evaluated the GaN-HEMT on Si devices at higher frequency and achieved the feasible performance of 7.58W/mm and 47.14dBm (51.8W) at 5GHz. |
| キーワード(和) | シリコン基板上GaN-HEMT / エピ基板界面 / 熱抵抗 / 高周波出力電力特性 |
| キーワード(英) | GaN-HEMT on Si substrate / epi/sub interface / Thermal resistance / RF output power performance |
| 資料番号 | ED2009-157,CPM2009-131,LQE2009-136 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2009/11/12(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 50W at 5GHz RF output power performance of GaN-HEMT on Si substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン基板上GaN-HEMT / GaN-HEMT on Si substrate |
| キーワード(2)（和/英） | エピ基板界面 / epi/sub interface |
| キーワード(3)（和/英） | 熱抵抗 / Thermal resistance |
| キーワード(4)（和/英） | 高周波出力電力特性 / RF output power performance |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 星 真一 / Shinichi HOSHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社研究開発センタ Corporate Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 伊藤 正紀 / Masanori ITOH |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社研究開発センタ Corporate Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 丸井 俊治 / Toshiharu MARUI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社研究開発センタ Corporate Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大来 英之 / Hideyuki OKITA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社研究開発センタ Corporate Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 森野 芳昭 / Yoshiaki MORINO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社研究開発センタ Corporate Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 玉井 功 / Isao TAMAI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社研究開発センタ Corporate Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 戸田 典彦 / Fumihiko TODA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社研究開発センタ Corporate Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 関 昇平 / Shohei SEKI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社研究開発センタ Corporate Research & Development Center, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi EGAWA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センタ Research Center for Nano-Device and System Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2009-11-20 |
| 資料番号 | ED2009-157,CPM2009-131,LQE2009-136 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |