| 講演名 | 2009-11-20 Siイオン注入した窒化物半導体上のAlフリーオーミック電極(窒化物及び混晶半導体デバイス) 今井 章文, 南條 拓真, 吹田 宗義, 阿部 雄次, 柳生 栄治, 蔵田 哲之, |
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| 抄録(和) | AlGaN/GaN HEMTにおいて広く使用されているオーミック電極はTi/Alを基本としているが,Alは酸・アルカリに対する耐腐食性に乏しく,プロセス安定性が低いためウェットエッチングを伴うプロセスなどで用いることが困難である.我々はSiイオン注入ドーピング技術を用いて,Alフリーでコンタクト抵抗が低く,なおかつ耐腐食性の高いTi/Nb/Au及びTi/Nb/Pt電極を開発し,プロセス安定性の向上に期待ができることを示した. |
| 抄録(英) | Although ohmic electrodes based Ti/Al are widely-used for AlGaN/GaN HEMTs, it is difficult to use them in wet etching process because Al has poor corrosion durability to acid/alkali. We have developed Aluminum-Free electrodes like Ti/Nb/Au and/or Ti/Nb/Pt with a Si ion implantation technique and demonstrated great affinity of these electrodes for wet/dry etching process. A low contact resistance equal to Ti/Al electrodes and high durability for corrosion were obtained. |
| キーワード(和) | AlGaN/GaN HEMT / Siイオン注入 / Alフリー / オーミック電極 / 高出力 |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN HEMT / Si ion implantation / Aluminum-free / ohmic contact / high power |
| 資料番号 | ED2009-153,CPM2009-127,LQE2009-132 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2009/11/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Siイオン注入した窒化物半導体上のAlフリーオーミック電極(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Aluminum-Free Ohmic contact on Si implanted nitride semiconductors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN HEMT / AlGaN/GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | Siイオン注入 / Si ion implantation |
| キーワード(3)（和/英） | Alフリー / Aluminum-free |
| キーワード(4)（和/英） | オーミック電極 / ohmic contact |
| キーワード(5)（和/英） | 高出力 / high power |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 今井 章文 / Akifumi IMAI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社先端技術総合研究所 Advanced Technology R & D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 南條 拓真 / Takuma NANJO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社先端技術総合研究所 Advanced Technology R & D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 吹田 宗義 / Muneyoshi SUITA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社先端技術総合研究所 Advanced Technology R & D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 阿部 雄次 / Yuji ABE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社先端技術総合研究所 Advanced Technology R & D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 柳生 栄治 / Eiji YAGYU |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社先端技術総合研究所 Advanced Technology R & D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 蔵田 哲之 / Tetsuyuki KURATA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社先端技術総合研究所 Advanced Technology R & D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2009-11-20 |
| 資料番号 | ED2009-153,CPM2009-127,LQE2009-132 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |