| 講演名 | 2009-11-20 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス) 渡邊 一世, 遠藤 聡, 山下 良美, 広瀬 信光, 三村 高志, 松井 敏明, |
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| 抄録(和) | AlGaN/GaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高出力・高耐圧特性に優れるだけでなくミリ波帯(30-300GHz)で動作可能で,将来の超高速・大容量・長距離無線通信用デバイスとして期待されている.今回,AlGaN/GaN系HEMTの60GHz帯における入出力特性を評価した.入出力特性評価に用いた微細ゲートAlGaN/GaN系HEMTは,(0001)面方位SiC基板上にMOCVD法により成長したAl_<0.21>Ga_<0.79>N(18nm)/GaN(2μm)を用いて作製され,更に三層絶縁膜SiN/SiO_2/SiNを有するMIS型HEMTである.ゲート長35nm,ゲート幅50μmのAlGaN/GaN系MIS-HEMTにおいて,出力電力密度1.07W/mm(出力電力17.3dBm)を周波数60GHzで達成した. |
| 抄録(英) | AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) are the most promising devices for future high-speed and long-range wireless communications to transmit large amount of data because of the HEMTs can operate at millimeter-wave (30-300GHz) frequency band. In this contribution, we fabricated nanoscale gate Al_<0.29>Ga_<0.71>N/GaN HEMTs with SiN/SiO_2/SiN triple-layer insulators, and measured input-output characteristics of the MIS-HEMTs. For the AlGaN/GaN MIS-HEMT with 35-nm-long and 50-μm-width T-shaped gates, we achieved high output power density of 1.07W/mm (output power P_ |
| キーワード(和) | AlGaN/GaN系HEMT / 三層絶縁膜SiN/SiO_2/SiN / 入出力特性 / 出力電力密度 |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN HEMT / SiN/SiO_2/SiN triple-layer insulators / input-output characteristic / output power density |
| 資料番号 | ED2009-159,CPM2009-133,LQE2009-138 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2009/11/12(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Output characteristics of AlGaN/GaN HEMTs at 60GHz frequency band |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN系HEMT / AlGaN/GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 三層絶縁膜SiN/SiO_2/SiN / SiN/SiO_2/SiN triple-layer insulators |
| キーワード(3)（和/英） | 入出力特性 / input-output characteristic |
| キーワード(4)（和/英） | 出力電力密度 / output power density |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡邊 一世 / Issei WATANABE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 独立行政法人情報通信研究機構 National Institute of Info. & Com. Tech. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 遠藤 聡 / Akira ENDOH |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 独立行政法人情報通信研究機構 National Institute of Info. & Com. Tech. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山下 良美 / Yoshimi YAMASHITA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 独立行政法人情報通信研究機構 National Institute of Info. & Com. Tech. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 広瀬 信光 / Nobumitsu HIROSE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 独立行政法人情報通信研究機構 National Institute of Info. & Com. Tech. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 三村 高志 / Takashi MIMURA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 独立行政法人情報通信研究機構:株式会社富士通研究所 National Institute of Info. & Com. Tech.:Fujitsu Laboratories Limited |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 松井 敏明 / Toshiaki MATSUI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 独立行政法人情報通信研究機構 National Institute of Info. & Com. Tech. |
| 発表年月日 | 2009-11-20 |
| 資料番号 | ED2009-159,CPM2009-133,LQE2009-138 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | 290 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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