エレクトロニクス-電子デバイス(開催日:2011/05/12)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表面再構成制御成長法を用いた高移動度InSb薄膜の成長(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

森 雅之,  中山 幸二,  中谷 公彦,  安井 雄一郎,  前澤 宏一,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-19,CPM2011-26,SDM2011-32
III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

山下 浩司,  加賀 充,  矢木 康太,  鈴木 敦志,  岩谷 素顕,  竹内 哲也,  上山 智,  赤崎 勇,  天野 浩,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-20,CPM2011-27,SDM2011-33
窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

加賀 充,  飯田 大輔,  北野 司,  山下 浩司,  矢木 康太,  岩谷 素顕,  竹内 哲也,  上山 智,  赤崎 勇,  天野 浩,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-21,CPM2011-28,SDM2011-34
ガラス蛍光体を用いた近赤外小型光源の高出力化と広帯域化(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

渕 真悟,  小林 俊一,  大島 弘嗣,  竹田 美和,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-22,CPM2011-29,SDM2011-35
反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

竹原 孝祐,  竹田 健一郎,  永田 賢吾,  青島 宏樹,  伊藤 駿,  岩谷 素顕,  竹内 哲也,  上山 智,  赤崎 勇,  天野 浩,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-23,CPM2011-30,SDM2011-36
AlGaN系紫外発光素子の通電特性 : UV-LEDの劣化メカニズム(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

朴 貴珍,  杉山 貴之,  谷川 智之,  本田 善央,  山口 雅史,  天野 浩,  稲津 哲彦,  藤田 武彦,  ペルノーシリル,  平野 光,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-24,CPM2011-31,SDM2011-37
AlGaN量子井戸構造の内部量子効率(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

山本 準一,  伴 和仁,  竹田 健一郎,  井手 公康,  岩谷 素顕,  竹内 哲也,  上山 智,  赤崎 勇,  天野 浩,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-25,CPM2011-32,SDM2011-38
MOVPE法によるSi基板上のCdTe厚膜層を用いた放射線画像検出アレイの開発(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

舘 忠裕,  犬塚 博章,  藤村 直也,  近藤 嵩輝,  難波 秀平,  村松 慎也,  安形 保則,  ニラウラ マダン,  安田 和人,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-26,CPM2011-33,SDM2011-39
Ga_2O_3酸素センサの作製と評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

山本 貴弘,  茅野 真也,  池田 紘基,  鈴木 嘉文,  以西 雅章,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-27,CPM2011-34,SDM2011-40
TiO_2薄膜への安定した白金担持と光触媒特性(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

中村 郁太,  佐藤 孝紀,  以西 雅章,  星 陽一,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-28,CPM2011-35,SDM2011-41
スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成と評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

中村 光宏,  丹羽 彬夫,  以西 雅章,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-29,CPM2011-36,SDM2011-42
高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

丸山 大地,  岡田 浩,  関口 寛人,  若原 昭浩,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-30,CPM2011-37,SDM2011-43
ZnO, SnS薄膜によるタンデム型光電気化学太陽電池(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

服部 翔,  市村 正也,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-31,CPM2011-38,SDM2011-44
非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

中尾 達郎,  桑原 洋介,  藤山 泰治,  藤井 崇裕,  杉山 徹,  山本 翔太,  岩谷 素顕,  竹内 哲也,  上山 智,  赤崎 勇,  天野 浩,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-32,CPM2011-39,SDM2011-45
窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

山本 翔太,  森田 義己,  桑原 洋介,  藤井 崇裕,  杉山 徹,  岩谷 素顕,  上山 智,  竹内 哲也,  赤崎 勇,  天野 浩,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-33,CPM2011-40,SDM2011-46
GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

杉山 貴之,  本田 善央,  山口 雅史,  天野 浩,  磯部 康裕,  押村 吉徳,  岩谷 素顕,  竹内 哲也,  上山 智,  赤崎 勇,  今出 完,  北岡 康夫,  森 勇介,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-34,CPM2011-41,SDM2011-47
GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

池田 和弥,  磯部 康裕,  一木 宏充,  堀尾 尚文,  榊原 辰幸,  岩谷 素顕,  竹内 哲也,  上山 智,  赤崎 勇,  天野 浩,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-35,CPM2011-42,SDM2011-48
原子層堆積Al_2O_3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

宮崎 英志,  合田 祐司,  岸本 茂,  水谷 孝,  

[発表日]2011/5/12
[資料番号]ED2011-36,CPM2011-43,SDM2011-49
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[発表日]2011/5/12
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[発表日]2011/5/12
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