| 講演名 | 2011-05-20 MOVPE法によるSi基板上のCdTe厚膜層を用いた放射線画像検出アレイの開発(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 舘 忠裕, 犬塚 博章, 藤村 直也, 近藤 嵩輝, 難波 秀平, 村松 慎也, 安形 保則, ニラウラ マダン, 安田 和人, |
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| 抄録(和) | 有機金属気相成長法によるSi基板上のCdTe厚膜成長層を用いた大面積2次元アレイ型放射線画像検出器の開発を行っている。検出性能向上のためには素子暗電流の低減が課題である。今回、成長層を用いて検出器アレイを試作し、その素子暗電流の評価を行った。アレイにおける素子暗電流の2次元分布から、暗電流はCdTe層の成長条件に依存することがわかった。また素子暗電流の温度依存性から暗電流には異なる2種類の深い準位が寄与することがわかった。 |
| 抄録(英) | We have been developing large area and high performance 2-dimensional (2D) radiation imaging arrays using thick CdTe layers grown on Si substrates by metalorganic vapor phase epitaxy. To improve the detector performance, dark current characteristics of the detector diodes have been studied using the fabricated arrays. The dark-current was found to depend on the growth condition of the CdTe layers, which was suggested by the 2D distribution of the dark current. The dark current was also influenced by 2 different deep levels in the grown CdTe layers. |
| キーワード(和) | MOVPE / Si基板上のCdTe / アレイ / 暗電流 |
| キーワード(英) | MOVPE / CeTe on Si substrate / Array / Dark Current |
| 資料番号 | ED2011-26,CPM2011-33,SDM2011-39 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2011/5/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPE法によるSi基板上のCdTe厚膜層を用いた放射線画像検出アレイの開発(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of Radiation Imaging Arrays Using Thick CdTe Layers Grown on Si Substrates by MOVPE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | Si基板上のCdTe / CeTe on Si substrate |
| キーワード(3)（和/英） | アレイ / Array |
| キーワード(4)（和/英） | 暗電流 / Dark Current |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 舘 忠裕 / Tadahiro Tachi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Graduate school of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 犬塚 博章 / Hiroaki Inuzuka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Graduate school of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤村 直也 / Naoya Fujimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Graduate school of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 近藤 嵩輝 / Takaki Kondo |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Graduate school of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 難波 秀平 / Syuhei Nanba |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Graduate school of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 村松 慎也 / Shinya Muramatsu |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Graduate school of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 安形 保則 / Yasunori Agata |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Graduate school of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | ニラウラ マダン / Madan Niraura |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Graduate school of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 安田 和人 / Kazuhito Yasuda |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Graduate school of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2011-05-20 |
| 資料番号 | ED2011-26,CPM2011-33,SDM2011-39 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 44 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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