| 講演名 | 2011-05-20 GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 杉山 貴之, 本田 善央, 山口 雅史, 天野 浩, 磯部 康裕, 押村 吉徳, 岩谷 素顕, 竹内 哲也, 上山 智, 赤崎 勇, 今出 完, 北岡 康夫, 森 勇介, |
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| 抄録(和) | c面および非極性a面GaN基板上AlGaN/GaN HFETの電流コラプスを測定した。a-HFETはc面上のHFETsに比べ高い閾値電圧と電流コラプス耐性の両立に優れることを実証した。また、p-GaNゲートを用いたc面ノーマリーオフ型JHFETについても電流コラプスの測定を行った、ドライエッチングによって露出されたAlGaN表面のデバイスでは電流コラプスが極めて大きいが、SiNパッシベーションによって、as-grownで同じ組成・膜厚を有するAlGaNバリアのノーマリーオフ型HFETsと同程度まで電流コラプス耐性が向上した。 | |
| 抄録(英) | We measured current collapse in AlGaN/GaN HFETs on an a-plane GaN substrate. Non polar HFETs are promising for realizing a high V_ | and a small current collapse than c-plane HFETs. We also measured current collapse in normally off mode AlGaN/GaN JHFETs with a p-GaN gate. The large current collapse was observed in unpassivated sample, because AlGaN barrier of JHFETs was exposed to air by dry etching. On the other hand current collapse in the SiNx-passivated JHFETs is small and almost the same as that in as-grown HFETs. |
| キーワード(和) | AlGaN/GaN / HFETs / 電流コラプス / 非極性 / ノーマリーオフ / GaN基板 | |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN / HFETs / current collapse / non-polar / normally-off / GaN substrate | |
| 資料番号 | ED2011-34,CPM2011-41,SDM2011-47 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2011/5/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Current collapse in GaN-based HFETs : HFETs on c- and a-GaN substrate/normally-off JHFET with p-GaN gate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
| キーワード(2)（和/英） | HFETs / HFETs |
| キーワード(3)（和/英） | 電流コラプス / current collapse |
| キーワード(4)（和/英） | 非極性 / non-polar |
| キーワード(5)（和/英） | ノーマリーオフ / normally-off |
| キーワード(6)（和/英） | GaN基板 / GaN substrate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 杉山 貴之 / T. Sugiyama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 本田 善央 / Y. Honda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山口 雅史 / M. Yamaguchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 天野 浩 / H. Amano |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 磯部 康裕 / Y. Isobe |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 押村 吉徳 / Y. Oshimura |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 岩谷 素顕 / M. Iwaya |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 竹内 哲也 / T. Takeuchi |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 上山 智 / S. Kamiyama |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 赤崎 勇 / I. Akasaki |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院理工学研究科 Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 今出 完 / M. Imade |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Electrical Engineering, Osaka University |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 北岡 康夫 / Y. Kitaoka |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Electrical Engineering, Osaka University |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 森 勇介 / Y. Mori |
| 第 13 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Electrical Engineering, Osaka University |
| 発表年月日 | 2011-05-20 |
| 資料番号 | ED2011-34,CPM2011-41,SDM2011-47 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 44 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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