| 講演名 | 2011-05-20 GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 池田 和弥, 磯部 康裕, 一木 宏充, 堀尾 尚文, 榊原 辰幸, 岩谷 素顕, 竹内 哲也, 上山 智, 赤崎 勇, 天野 浩, |
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| 抄録(和) | ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)のチャネル層にGaInNを用いることにより、高いバンドオフセットを持つこと、さらにはInN中の伝導帯電子の有効質量が軽いことから、究極的な大電力動作可能なデバイスが期待される。さらに、AlInNは大きなバンドオフセット、及びGaInNと作製温度が近いという特長を有している。本研究では、AlInNをバリア層に使用したAlInN/AlN/GaInN/GaN HFET構造を作製し良好な静特性を確認した。 |
| 抄録(英) | GaInN channel heterostructure field-effect transistors (HFETs) are promising for applications involving high operation current because they spontaneously produce high-density sheet carriers and strongly confine two-dimensional electron gases (2DEGs) owing to their large conduction band offset, and the large polarization charges. HFET using an AlInN barrier layer is also promising for a lattice-matched large-bandgap barrier structure. In addition, the MOVPE growth conditions for GaInN channel and AlInN barriers are similar. Thus, the combination of these materials is expected to achieve high-performance HFETs. In this study, we report on the electrical properties of AlInN/GaInN based heterostructures fabricated on a GaN template. We also fabricated and characterized AlInN/GaInN HFETs. |
| キーワード(和) | AlInN / GaInN / AlN / HFET |
| キーワード(英) | AlInN / GaInN / AlN / HFET |
| 資料番号 | ED2011-35,CPM2011-42,SDM2011-48 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2011/5/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on AlInN barrier layer of GaInN channel HFET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlInN / AlInN |
| キーワード(2)（和/英） | GaInN / GaInN |
| キーワード(3)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(4)（和/英） | HFET / HFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 池田 和弥 / Kazuya IKEDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 磯部 康裕 / Yasuhiro ISOBE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 一木 宏充 / Hiromichi IKKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 堀尾 尚文 / Naofumi HORIO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 榊原 辰幸 / Tatsuyuki SKAKIBARA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 岩谷 素顕 / Motoaki IWAYA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 竹内 哲也 / Tetsuya TAKEUCHI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 上山 智 / Satoshi KAMIYAMA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部 Fac. Sci. & Eng., Meijo University |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 赤崎 勇 / Isamu AKASAKI |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学部:名古屋大学赤崎記念研究センター Fac. Sci. & Eng., Meijo University:Akasaki Research Center, Nagoya University |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 天野 浩 / Hiroshi AMANO |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科:名古屋大学赤崎記念研究センター Grad. Sch. of Eng., Nagoya University:Akasaki Research Center, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2011-05-20 |
| 資料番号 | ED2011-35,CPM2011-42,SDM2011-48 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 44 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |