講演名 | 2011-05-20 窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 山本 翔太, 森田 義己, 桑原 洋介, 藤井 崇裕, 杉山 徹, 岩谷 素顕, 上山 智, 竹内 哲也, 赤崎 勇, 天野 浩, |
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抄録(和) | 太陽電池の性能向上には光の取り込み効率の最適化が不可欠であり、本研究ではグリッド電極を用いることによってその向上を目指した。GaN自立基板上にn-GaN層2.5μmを成長したのち、50周期のGa_<0.83>In_<0.17>N(3nm)/Ga_<0.95>In_<0.05>N(3nm)超格子活性層、p型GaN層100nmの順に積層した。p型電極は薄膜Ni/Au(5nm/5nm)を用いた。p型電極にグリッド半透明電極を用いたものと全面半透明電極を用いたものを比較した結果、グリッド半透明電極を用いたものは、短絡電流及び開放端電圧が向上し、外部量子効率は約25%の向上、変換効率は2.4%から2.8%まで向上した。 |
抄録(英) | We used grid electrode for improving efficiency of nitride-based photovoltaic cell. Compared with the conventional semitransparent electrode, the external quantum efficiency, short circuit current, open edge voltage was much improved. Moreover the conversion efficiency was improved from 2.4% to 2.8%. |
キーワード(和) | 取り込み効率 / グリッド電極 / 太陽電池 / 外部量子効率 / 変換効率 / 窒化物半導体 |
キーワード(英) | capture efficiency / grid / solar cell / external quantum efficiency / conversion efficiency / nitride |
資料番号 | ED2011-33,CPM2011-40,SDM2011-46 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ED |
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開催期間 | 2011/5/12(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Fabrication of nitride-based solar cells electrode structure |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 取り込み効率 / capture efficiency |
キーワード(2)(和/英) | グリッド電極 / grid |
キーワード(3)(和/英) | 太陽電池 / solar cell |
キーワード(4)(和/英) | 外部量子効率 / external quantum efficiency |
キーワード(5)(和/英) | 変換効率 / conversion efficiency |
キーワード(6)(和/英) | 窒化物半導体 / nitride |
第 1 著者 氏名(和/英) | 山本 翔太 / S. Yamamoto |
第 1 著者 所属(和/英) | 名城大学理工学部 Fac. Sci. and Eng., Meijo Univ. |
第 2 著者 氏名(和/英) | 森田 義己 / Y. Morita |
第 2 著者 所属(和/英) | 名城大学理工学部 Fac. Sci. and Eng., Meijo Univ. |
第 3 著者 氏名(和/英) | 桑原 洋介 / Y. Kuwahara |
第 3 著者 所属(和/英) | 名城大学理工学部 Fac. Sci. and Eng., Meijo Univ. |
第 4 著者 氏名(和/英) | 藤井 崇裕 / T. Hujii |
第 4 著者 所属(和/英) | 名城大学理工学部 Fac. Sci. and Eng., Meijo Univ. |
第 5 著者 氏名(和/英) | 杉山 徹 / T. Sugiyama |
第 5 著者 所属(和/英) | 名城大学理工学部 Fac. Sci. and Eng., Meijo Univ. |
第 6 著者 氏名(和/英) | 岩谷 素顕 / M. Iwaya |
第 6 著者 所属(和/英) | 名城大学理工学部 Fac. Sci. and Eng., Meijo Univ. |
第 7 著者 氏名(和/英) | 上山 智 / S. Kamiyama |
第 7 著者 所属(和/英) | 名城大学理工学部 Fac. Sci. and Eng., Meijo Univ. |
第 8 著者 氏名(和/英) | 竹内 哲也 / T. Takeuchi |
第 8 著者 所属(和/英) | 名城大学理工学部 Fac. Sci. and Eng., Meijo Univ. |
第 9 著者 氏名(和/英) | 赤崎 勇 / I. Akasaki |
第 9 著者 所属(和/英) | 名城大学理工学部:名古屋大学赤崎記念研究センター Fac. Sci. and Eng., Meijo Univ.:Akasaki Research Center, Nagoya Univ. |
第 10 著者 氏名(和/英) | 天野 浩 / H. Amano |
第 10 著者 所属(和/英) | 名古屋大学工学研究科:名古屋大学赤崎記念研究センター Grad. Sch. Eng., Nagoya Univ.:Akasaki Research Center, Nagoya Univ. |
発表年月日 | 2011-05-20 |
資料番号 | ED2011-33,CPM2011-40,SDM2011-46 |
巻番号(vol) | vol.111 |
号番号(no) | 44 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |